As shown in U.S. Pat. No. 4,362,632, for example, current through a coil is supplied by an RF generator coupled to the coil through an impedance matching network, such that the coil acts as the first windings of a transformer.
例えば、米国特許第4,362,632号に示されるように、コイルを通る電流は、インピーダンス整合した回路網を通じて、コイルに結合したRF発生器により供給され、コイルが変圧器の第1の巻きとして作用するようにする。
In a standard inductively coupled plasma (ICP) generator, RF current passing through a coil surrounding the plasma induces electromagnetic currents in the plasma.
標準的な誘導結合プラズマ(ICP)発生器では、プラズマを囲むコイルを通過するRF電流が、プラズマ中に電磁電流を誘導する。
There are several known techniques for exciting a plasma with RF fields including capacitive coupling, inductive coupling and wave heating.
RFの場でプラズマを励起する公知の技術には、容量結合、誘導結合、電波加熱等がある。
Low pressure radio frequency (RF) generated plasmas have become convenient sources of energetic ions and activated atoms which can be employed in a variety of semiconductor device fabrication processes including surface treatments, depositions, and etching processes.
低圧のラジオ周波数(RF)によるプラズマが、エネルギーを与えたイオンと活性化した原子の便利な供給源となり、表面処理、成膜、エッチングプロセス等の色々の半導体デバイス製造プロセスで使用できる。
The signal line 1, together with the ground 2 provided at a predetermined distance, functions as a coplanar type RF (Radio Frequency) wave guide line which extends frontward and rearward in the figure.
信号線1は、所定の距離に設置されたグランド2と合せて、図面表裏方向に伸びるコプレーナ型高周波信号線路として機能している。
RF-MEMS switch and its fabrication method
高周波MEMSスイッチ及びその製造方法
For instance, Fraise U.S. Pat. No. 4,516,271, "Microwave Mixer with Recovery of the Sum Frequency", concerns the use of a wave-guide cavity to mix and filter RF signals.
例えば、U.S. Patent 4,516,271, “Microwave Mixer with Recovery of theSum Frequency”は、RF信号をミキシングおよびフィルタリングするための導波キャビティの使用に関するものである。
Because of non-linear aspects of the resonator, the resonator mixes the incoming RF signal with the LO signal, and converts it into mechanical motion.
共振器の非線形性の故に、共振器は、到来RF信号をLO信号とミキシングし、機械的動きに変換する。
The natural vibrational frequency of that resonator is RF-LO.
共振器の固有振動周波数は、RF−LOである。
The input signal (RF) is capacitively coupled to one resonator, which in turn is electrically connected to a sinusoidal local oscillator (LO).
入力信号(RF)は、1つの共振器に容量的に結合され、共振器は、正弦波局部発振器(LO)に電気的に接続される。
Currently, the radio frequency (RF) filter is made with the excitation of an external crystal, commonly in a transmission mode.
現在では、無線周波数(RF)フィルタは、通常、送信モードにおいて、外部水晶の励振で実現される。
These same stages may also occur in a reverse sequence in translating from audio frequencies to (RF) carrier transmission.
これら3つの段階では、また、音声周波数から(RF)キャリア伝送への変換を、逆のシーケンスで行うこともできる。
In a first stage, the radio frequency (RF) input signals are isolated utilizing a band-pass filter and then amplified.
第1の段階では、無線周波数(RF)入力信号は、帯域通過フィルタを用いて分離され、そして増幅される。
The same two conversion steps may also be implemented in transmission in a reverse order; in effect, proceeding from an audio signal to the intermediate frequency (IF) carrier and then to the final communication radio frequency (RF) carrier frequency.
また、2つの同じ変換ステップを、伝送中に逆の順序で行うことができる。すなわち、音声信号から、中間周波数(IF)へ変換し、次に、最終通信無線周波数(RF)キャリア信号周波数へ変換する。
In essence, communication carrier signals at radio frequencies (RF) are normally converted to intermediate frequencies (IF) for processing such as channel selection, signal isolation and the like.
基本的に、無線周波数(RF)の通信キャリア信号は、通常は、チャンネル選択,信号分離などのような処理のために、中間周波数(IF)に変換される。
The computer program dictates the various operating parameters, such as timing, mixture of gases, chamber pressure, substrate support temperature and RF power levels.
コンピュータプログラムは、種々の作動パラメータ、例えば、時間、ガスの混合、チャンバ圧、基板支持体温度及びRF電流レベルを指示する。
Substrate support 14 acts as a cathode and is connected to a bias RF generator 22 through a matching circuit 24.
基板支持体14は、陰極として働き、そしてマッチング回路24を通じてバイアスRF発生器22に連結されている。
Coils 8, 9 are powered by a pair of source RF generators 10, 11.
コイル8,9には、一対のRF源発生器10,11から電流が供給されている。
Fig. 1 illustrates a deposition chamber 2 comprising a housing 4, the housing including a generally cylindrized dielectric enclosure 6 surrounded by two sets of RF inductive coils 8, 9. Enclosure 6 could be made of RF transparent materials other than a dielectric material.
図1は、ハウジング4、2組のRF誘導コイル8,9に取り囲まれている通常筒状の誘電性囲壁部6を有するハウジングを含む堆積チャンバ2を説明している。囲壁部6は、誘電性物質以外のRF透過性の物質から作られうる。
Under such circumstances, the adaptation means may be means for modifying the ion density of the plasma, or more advantageously, means for modifying the electron temperature Te of the plasma, e.g. by modifying the power of the RF generator 6. Thus, during an initial step of non-aggressive deposition, the adaptation means generate a plasma having a Debye length [lambda]D that is greater than one-third or one half of the pitch P of the grid 17, with the same adaptation means producing a plasma having a Debye length [lambda]D that is considerably less than one-third or one-half the pitch P of the grid 17 during a following step of rapid deposition.
このような状況では、この適合手段は、例えば、RF発生器6の出力を修正することによって、プラズマのイオン密度を修正する手段、あるいは、より有利にはプラズマの電子温度Teを修正する手段であってよい。したがって、この適合手段は最初の非攻撃的堆積工程の間、格子17のピッチPの1/3あるいは1/2より大きいデバイ長λDを有するプラズマを発生し、次の高速堆積工程の間この同じ適合手段は、格子17のピッチPの1/3あるいは1/2より著しく小さいデバイ長λDを有するプラズマを発生する。
In general terms, there can be seen a substrate support plate 9, an axial support column 10 secured to the substrate support plate 9 and carrying a substrate support block 11, itself containing in conventional manner RF electrodes 12, heater means 13, and a clamping ring 14 adapted to hold the substrate 15, e.g. a semiconductor wafer.
一般に、基板支持板9、該基板支持板9に固定されかつ自身に従来の様式でRF電極12を含んだ基板支持ブロック11を支持する軸方向の支持柱10、ヒータ手段13、および基板15、例えば半導体ウエハを保持するように構成された締め付け(clamping)リング14が存在している。
A suitable vacuum is established inside the plasma source 1 and the diffusion chamber 2, and nitrogen in the form of gaseous nitrogen N2 or ammonia NH3 is introduced at the upstream end via the gas inlet 7, silicon is brought into the diffusion chamber in post-discharge via the post-discharge gas inlet 8 in the form of silane SiH4, and the plasma is generated by powering the RF generator 6. The plasma propagates into the diffusion chamber 2 as far as the substrate carried by the substrate support 3. A deposited layer of silicon nitride Si3N4 is thus formed on the substrate.
プラズマ源1および拡散室2内に適切な真空状態が確立され、窒素は気体窒素(N2)またはアンモニア(NH3)の形態でガス注入口7を介して上方端に導かれ、シリコンはシラン(SiH4)の形態でポストディスチャージガス注入口8を介してポストディスチャージ内の拡散室に運ばれ、RF発生器6に給電することによってプラズマが発生される。このプラズマは基板支持体3によって基板が支持されている限り拡散室2に伝搬する。このようにして窒化シリコン(Si3N4)の堆積層が基板上に形成される。
The plasma source 1 is constituted by an enclosure whose wall 4 is made of dielectric material, it is advantageously cylindrical in shape, being associated with a loop antenna 5 powered by a radiofrequency (RF) electrical generator 6. A gas inlet 7 is provided at the proximal end of the plasma source 1, i.e. at its end remote from the diffusion chamber 2.
プラズマ源1はエンクロージャによって構成され、その壁4は誘電材料で作られ、このプラズマ発生源1は有利には円筒形であり、高周波(RF)発電機6によって給電されるループアンテナ5と結合している。ガス注入口7がプラズマ源1の近位端に、すなわち、拡散室2から離れたプラズマ源1の端部に設けられている。