The above-identified problem of gas leakage from the periphery of an electrostatic wafer clamp is an example of a more general sealing problem which involves the leakage of gas between two closely spaced or contacting surfaces of arbitrary shape.
静電ウエハクランプの周囲からのガス漏れが生じるという上記した問題は,任意の形状をもつ二つの表面が極めて接近し、あるいは密着している場合のその間のガス漏れに関する,より一般的なシーリング問題の一例である。
This approach has the disadvantages of reduced clamping force in the case of an electrostatic wafer clamp and reduced cooling in the region of the annular groove.
このアプローチは,静電ウエハクランプの場合,クランプ力を減少させ,環状溝の領域における冷却を悪化させる欠点をもつ。
An area seal produced by the electrostatic clamping of a wafer against a flat and finely polished clamping surface is more resistant to damage than the perimeter seal.
平坦で,丁寧に研磨されたクランピング表面に対してウエハを静電的にクランプすることにより形成される面シールの方が周辺シールよりも,ダメージを受け難い。
Gas conduction in an electrostatic wafer clamp is disclosed in the aforementioned Patent No. 5,452,177.
静電ウエハクランプでのガス伝導は、前記した米国特許第5,452,17号に開示されている。
A six-phase electrostatic wafer clamp includes a platen having six sector-shaped electrodes.
六相の静電ウエハクランプが六つの扇形の電極をもつプラテンを含む。
An electrostatic wafer clamp that provides highly satisfactory performance is disclosed in U. S. Pat. No. 4,452,177, issued September 19,1995 to Frutiger.
十分に満足できる性能を発揮する静電ウエハクランプが,Frutigerによる1995年9月19日に発行された米国特許第4,452,177号に開示されている。
An electrostatic wafer clamp is disclosed by G. A. Wardly in"Electrostatic Wafer Chuck for Electron Beam Microfabrication",Rev. Sci. Instrun., Vol. 44, No. 10, Oct. 1972, pp. 1506-1509 and in U. S. Pat. No. 3,993,509 issued Nov. 23,1976 to McGinty.
静電ウエハクランプは,G. A. Wardlyによる"Electrostatic Wafer Chuck for Electron Beam Microfabrication",Rev. Sci, Instrum.,第44巻,第10号,1972年10月,第1506-1509頁,McGintyによる1976年11月23日に発行された米国特許第3,993,509号に記載されている。
A voltage is applied between the semiconductor wafer and the support plate, and the wafer is clamped against the dielectric layer by electrostatic forces.
半導体ウエハと支持プレートとの間に電圧が適用され,ウエハは静電力により誘電層に対しクランプされる。
One known technique involves the use of electrostatic forces.
一つの既知の技術は静電力を使用するものである。
This invention relates to apparatus for electrostatic clamping of workpieces, such as semiconductor wafers, in a vacuum processing chamber and, more particularly, to electrostatic clamping apparatus which includes an electrostatic seal for retaining a gas between the workpiece and a clamping surface.
本発明は,真空処理チェンバーにおいて,半導体ウエハのようなワークピースを静電的にクランプする装置に関し,ワークピースとクランピング表面との間にガスを保持するための静電シールを含む静電クランピング装置に関する。
A disc-like dielectric plate 1 of insulating ceramics and a disc- like board 2 are jointed together, and an electrode 3 is formed between the dielectric plate 1 and the disc-like board 2 to form an electrostatic chuck, wherein one or more bent parts are provided to a joint boundary between the dielectric plate 1 and the board 2 at the peripheral part of the electrostatic chuck and a joint boundary between the opening edge of a gas inlet through-hole 7 provided to the dielectric plate 1 and the board 2, and the open ends S of the joint boundaries are so constituted as to get away from the suction surface 1a of the dielectric plate 1. By this setup, adhesive agent can be protected against damage, and the electrostatic chuck of this constitution is enhanced enough in attraction to a semiconductor wafer 6.
絶縁性セラミックスからなる円盤状の誘電板1と円盤状の基板2とを接合するとともに、両者の間に電極3を形成して静電チャックを構成し、その静電チャック周縁部における誘電板1及び基板2の接合境界、及び誘電板1に貫通して設けられているガス導入用貫通孔7の開口縁部と基板2との接合境界に、少なくとも1以上の屈曲部を設け、且つ接合境界の開放端Sが誘電板吸着面1aから遠ざかる様に構成すれば、接着剤の損傷を解消することができ、且つ半導体ウエハー6に対しては十分な吸着力を得ることができる。
To provide an electrostatic chuck which is stable in attraction and causes no damage to adhesive agent used for bonding a dielectric plate and a board together.
誘電板と基板の接合に使用した接着剤が損傷することがなく、且つ安定した吸着力の得られる静電チャックを提供する。