sputter

Ions created within the plasma impact the surface of the target to dislodge, i.e., "sputter" material from the target.
プラズマ中で発生したイオンは、ターゲットの表面に衝突し除去する、即ちターゲットから材料を「スパッタ」する。
For example, to deposit materials onto a semiconductor wafer using a sputter deposition process, a plasma is produced in the vicinity of a sputter target material which is negatively biased.
例えば、スパッタ成膜プロセスを使用して、半導体ウェハ上に材料を堆積するためには、プラズマは負にバイアスされたスパッタターゲット材料の近くで発生させる。
The present invention relates to plasma generators, and more particularly, to a method and apparatus for generating a plasma to sputter deposit a layer of material in the fabrication of semiconductor devices.
本発明は、プラズマ発生器に関し、より詳しくは半導体デバイスの製造において、材料層をスパッタ堆積するためにプラズマを発生する方法と装置に関する。
Typical examples of such "dry processes" are plasma etching, sputter etching, and reactive ion etching.
このような「乾式法」の代表例には、プラズマ・エッチング、スパッタ・エッチング、および反応性イオン・エッチングがある。