For example, to deposit materials onto a semiconductor wafer using a sputter deposition process, a plasma is produced in the vicinity of a sputter target material which is negatively biased.
例えば、スパッタ成膜プロセスを使用して、半導体ウェハ上に材料を堆積するためには、プラズマは負にバイアスされたスパッタターゲット材料の近くで発生させる。
For example, the downstream end portion may comprise a conical tapered portion having decreasing inner diameter gradually, and a small-inner-diameter portion extending in the axial direction in the form of a cylinder from the vicinity of the top of the conical tapered portion.
例えば先端部分は、内径が漸減していく円錐状のテーパ部分と、この円錐状テーパ部分の頂上付近から円筒状をなして軸方向に延びる小内径部分からなることができる。
a cylindrical spacer 4 is fitted between both the terminal sections slidably and bound in the vicinity of the opening section 12 in the casing 1 with a prescribed play
両端子部間に筒状のスペーサ４が摺動可能に嵌まると共に、ケーシング１内の開口部12の近傍に一定の遊びをもって拘持され
and a ramifying-side side hole in the vicinity of an operator-side end thereof;
操作側端近傍に分岐用側孔を有し、
the second lumen having a cuff-side side hole in the vicinity of a patient-side end thereof,
上記第二ルーメンは患者側端近傍にカフ用側孔、
Therefore, the fluctuation of oxygen concentration in the exhaust gas is preferably alleviated to maintain the oxygen concentration in the vicinity of the theoretical air-fuel ratio, so that the three-way catalyst can exert its exhaust gas purifying ability.
従って、排ガス中の酸素濃度の変動を吸収して理論空燃比付近の酸素濃度を維持することは、三元触媒が排ガス浄化能力を発揮するために好ましい。
(iii) an exhaust duct positioned in the vicinity of the showerhead and provided circularly along an inner wall of the reaction chamber;
（ｉｉｉ）前記シャワーヘッドの周辺近傍に位置し、前記反応チャンバの内壁面に沿って環状に設けられた排気ダクト、
cylindrical spacer 4 is fitted between both the terminal sections slidably and bound in the vicinity of the opening section 12 in the casing 1 with a prescribed play
両端子部間に筒状のスペーサ４が摺動可能に嵌まると共に、ケーシング１内の開口部12の近傍に一定の遊びをもって拘持され