Up until now, the successful implementation of ALD Zr and Hf oxides have been either on an initial layer of silicon oxide, silicon oxynitride, or in the form of a reduced dielectric constant silicate film, such as ZrSiO4 or HfSiO4.
これまで、ＡＬＤ ＺｒおよびＨｆ酸化物のうまくいったインプリメンテーションは、シリコン酸化物の初期層、シリコンオキシニトライドの初期層、あるいは、例えばＺｒＳｉＯ４またはＨｆＳｉＯ４等の減少した誘電率のシリケート膜の形式のいずれかであった。
comply with the rules of implementation
実施規則に従う
implementation
実施
Other objects, characteristics, and advantages of the present invention appear from the following description of particular implementations, made with reference to the accompanying figures, in which:
本発明のその他の目的、特徴、および利点は、添付図面に関してなされた以下の特定の実施形態の解説から明白となる。