This cleaning removes particles or organic contamination on the surface of the silicon wafer 5 effectively.
この洗浄によりシリコンウェーハ5表面のパーティクル及び有機物を効果的に除去できる。
At this time, a region made of silicon and a region made of silicon oxide of the surface of the wafer 5 are etched to about 4.2 nm and 1.8 nm, respectively.
このとき、ウェーハ5のシリコン表面は約4.2nmエッチングされ、シリコン酸化膜表面は1.8nmエッチングされる。
Discussed next is a process of cleaning a silicon wafer 5, using the equipment according to the embodiment, with reference to flow charts of FIGS. 2-7.
次に、本実施形態の装置を用いてシリコンウェーハ5の洗浄を行う場合の方法について、図2〜図7に示すフローチャートを用いて説明する。
An oxide film 102 is formed on a silicon substrate 101, and an Al wiring 103 is formed on the film 102 (a).
シリコン基板101上に酸化膜102を形成しその上にAl配線103を形成する(a)。
The present invention concerns a method for forming silicon nitride films (referred to hereinafter as SIN [sic; SiN] films) and silicon nitrogen oxide films (referred to hereinafter as SION [sic; SiON] films).
本発明は、窒化シリコン膜(シリコンナイトライド膜:以後、SIN膜と呼ぶ)や窒酸化シリコン膜(シリコンオキシナイトライド膜:以後、SION膜と呼ぶ)の形成方法に係り、
Too little oxygen can leave the film silicon rich with excess free fluorine incorporated into the film.
酸素があまりに少ないと、フィルムを、フィルム中に取り込まれた過剰な遊離のフッ素とともにケイ素が多い状態にしうる。
Assuming the total flow rate of silicon (e.g., from SiH4 and SiF4) remains constant, it is believed that several basic statements can be made regarding the use of these various components.
(例えば、SiH4及びSiF4からの)ケイ素の全流量が一定に保たれると仮定すると、いくつかの基本的な説明が、これらの種々の成分の使用に関して成されることができると信じられている。
The passivation layer may be based on silicon SiO2, or on silicon nitride Si3N4, for example.
この不活性化層は例えば、二酸化シリコン(SiO2)または窒化ケイ素(Si3N4)で作られてよい。
The present invention may find advantageous applications, in particular in the use of the apparatus as described above for passivating a semiconductor substrate based on silicon Si, germanium Ge, indium phosphide InP, gallium arsenide GaAs, or a component in columns II to VI of the periodic table of the elements, by means of a passivation layer of the dielectric film type.
本発明は特に、誘電膜タイプの不活性化層を用いて、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、インジウムリン(InP)、ガリウムヒ素(GaAs)あるいは元素の周期表のII〜VI族を主成分とする半導体基板を不活性化する上記のような装置の使用において有利な適用があってよい。
A suitable vacuum is established inside the plasma source 1 and the diffusion chamber 2, and nitrogen in the form of gaseous nitrogen N2 or ammonia NH3 is introduced at the upstream end via the gas inlet 7, silicon is brought into the diffusion chamber in post-discharge via the post-discharge gas inlet 8 in the form of silane SiH4, and the plasma is generated by powering the RF generator 6. The plasma propagates into the diffusion chamber 2 as far as the substrate carried by the substrate support 3. A deposited layer of silicon nitride Si3N4 is thus formed on the substrate.
プラズマ源1および拡散室2内に適切な真空状態が確立され、窒素は気体窒素(N2)またはアンモニア(NH3)の形態でガス注入口7を介して上方端に導かれ、シリコンはシラン(SiH4)の形態でポストディスチャージガス注入口8を介してポストディスチャージ内の拡散室に運ばれ、RF発生器6に給電することによってプラズマが発生される。このプラズマは基板支持体3によって基板が支持されている限り拡散室2に伝搬する。このようにして窒化シリコン(Si3N4)の堆積層が基板上に形成される。
In order to improve the aging properties of the diode, attempts have been made to passivate the substrate by depositing silicon nitride using a PECVD method, with such a deposit serving in particular to counter the effect of moisture.
このダイオードのエージング特性を改善するために、堆積が特に湿気の影響に対抗するようにしながら、PECVD法を用いて窒化ケイ素を堆積することによって基板を不活性化する試みがなされてきた。
Rapid and unacceptable aging is also observed on items having a fragile semiconductor substrate such as indium phosphide InP, gallium arsenide GaAs, or even substrates of silicon or of germanium.
また、急速かつ容認できないエージングが、インジウムリン(InP)、ガリウムヒ素(GaAs)などの壊れ易い半導体基板、あるいはさらにシリコンまたはゲルマニウムの基板を有するアイテム上に観察される
The use of apparatus according to claim 4 for passivating a semiconductor substrate based on silicon, germanium, indium phosphide, gallium arsenide, or an II-VI compound, by means of a passivation layer of the dielectric film type.
誘電膜型の不活性化層を用いて、シリコン、ゲルマニウム、インジウムリン、ガリウムヒ素、またはII〜VI族の化合物を主成分とする半導体基板を不活性化する請求項4に記載の装置の使用方法。
A high-k material refers to a material with a dielectric constant higher than that of silicon dioxide.
high−k材料は、二酸化シリコンの誘電率よりも大きい誘電率を有する材料を言う。
The interfacial layer was formed by providing a hydrogen passivated semiconductor surface, in this case hydrogen terminated silicon, in an ALD chamber, and exposing the surface to cycles comprising two seconds of Hf(NO3)4 and ten seconds of N2 at a temperature of approximately 170 degrees Celsius.
界面層は、水素パッシベーションした半導体表面(この場合、水素終端処理したシリコン)をALDチャンバに提供し、約170℃の温度で、2秒のHf(NO3)4のと10秒のN2とを含むサイクルで表面を晒すことによって提供される。
Another possible cause is that the NO3 ligand is highly reactive and may promote the formation of silicate, or silicon oxide, at the interface even at moderate temperatures in the range of 300 to 450 degrees Celsius.
別の可能な原因は、NO3配位子が反応性が高く、300℃から450℃の範囲の適度な温度でさえも境界面においてシリケート(すなわちシリコン酸化物)の形成を促進し得る。
Problems related to the interfacial layer, such as the formation of silicon oxides or silicates, may remain even using metal nitrate precursors.
シリコン酸化物またはシリケートの形成等の界面層に関連した問題は、さらに、硝酸金属プリカーサを用いるままであり得る。
Up until now, the successful implementation of ALD Zr and Hf oxides have been either on an initial layer of silicon oxide, silicon oxynitride, or in the form of a reduced dielectric constant silicate film, such as ZrSiO4 or HfSiO4.
これまで、ALD ZrおよびHf酸化物のうまくいったインプリメンテーションは、シリコン酸化物の初期層、シリコンオキシニトライドの初期層、あるいは、例えばZrSiO4またはHfSiO4等の減少した誘電率のシリケート膜の形式のいずれかであった。
These precursors also have a problem initiating the film deposition on hydrogen terminated silicon surfaces and will incorporate carbon residues in the film.
これらプリカーサはまた、水素終端処理した表面上に膜の堆積を開始する問題を有し、膜に炭素の残留物を取り込む。
With sufficient exposure of the silicon surface to the reactants, the deposition may eventually be initiated.
反応物に対してシリコン表面が十分に晒した状態で、最終的に、堆積が開始され得る。
Hydrogen terminated silicon surfaces result from standard industry cleaning processes.
水素終端処理したシリコン表面は、業界標準のクリーニングプロセスから生じる。
However, it is difficult to initiate deposition on hydrogen terminated silicon surfaces.
しかし、水素終端処理したシリコン表面上に堆積を開始することは困難である。
One problem with using high-k materials is that an interfacial layer of silicon dioxide, or a silicate layer, with a lower dielectric constant forms during standard processing.
high−k材料の利用による1つの問題は、低誘電率を有する二酸化シリコンの界面層(すなわちシリケート層)が標準処理中に形成されることである。
The dielectric constant of these materials is about 20 to 25, which is a factor of 5-6 times that of silicon dioxide, meaning that a thickness of about 5-6 nm of these materials could be used to achieve an equivalent oxide thickness (EOT) of about 1.0 nm, assuming that the entire film is essentially composed of the high-k material.
これら材料の誘電率は、約20〜25であり、これは、二酸化シリコンの誘電率の5〜6倍の係数である。このことは、約5〜6nmの厚さのこの材料を用いて、約1.0nmの等価酸化物厚(EOT)を達成することが可能であることを意味し、全体の膜が基本的にhigh−k材料からなることを想定する。
Typically, silicon dioxide has a dielectric constant of approximately 4, while it would be desirable to use a gate dielectric material with a dielectric constant of greater than approximately 10.

一般に、二酸化シリコンは、約4の誘電率を有するが、約10よりも高い誘電率を有するゲート誘電体材料を用いることが所望される。

These so-called high-k dielectric films are defined herein as having a high dielectric constant relative to silicon dioxide.
これらのいわゆるhigh−k誘電膜は、本明細書中、二酸化シリコンに対して高誘電率を有する膜として規定される。
2. The method of claim 1, wherein the substrate has a silicon surface.
【請求項2】 前記基板は、シリコン表面を有する、請求項1に記載の方法。
A method of removing cured silicone polymer deposits from electronic components comprising the sequential steps of:immersing the electronic components in a preheated solution of 0.2 to 5.0 weight % quaternary ammonium fluoride in a hydrophobic non-hydroxylic aprotic solvent, wherein the hydrophobic non-hydroxylic aprotic solvent is propylene glycol alkyl ether alkoate, with agitation, for a first predetermined period of time; immersing the electronic components in a preheated solvent consisting essentially of a hydrophobic non-hydroxylic aprotic solvent, wherein the hydrophobic non-hydroxylic aprotic solvent is propylene glycol alkyl ether alkoate, with agitation, for a second predetermined period of time; immersing or rinsing or spraying the electronic components with a hydrophilic, essentially water soluble solvent, wherein the hydrophilic, essentially water soluble solvent comprises propylene glycol alkyl ethers, with agitation for about 5 to 10 minutes; transporting the electronic components to an aqueous rinse bath and applying a water rinse; and drying the electronic components, wherein the cured silicone polymer deposits are removed.
電子コンポーネントから、硬化したシリコーンポリマ付着物を除去する方法であって、 前記電子コンポーネントを、ヒドロキシル基を含まない疎水非プロトン性溶剤中の0.2〜5.0wt%の第四級フッ化アンモニウムの予熱された溶液に、撹拌しながら第1の所定期間、浸漬する工程と、 前記電子コンポーネントを、ヒドロキシル基を含まない疎水非プロトン性溶剤を主成分とする予熱された溶液に、撹拌しながら第2の所定期間、浸漬する工程と、 親水性であって本質的に水溶性の溶剤で、撹拌しながら約5〜10分、前記電子コンポーネントを、浸漬/洗浄/スプレーする工程と、 前記電子コンポーネントを、水浴に浸漬する工程と、 前記電子コンポーネントを、水の加圧スプレーで洗浄する工程と、 前記電子コンポーネントを、乾燥する工程と、 を含む方法。
To provide a method for removing a cured silicone polymer deposit from an electronic component.
電子コンポーネントから、硬化したシリコーンポリマ付着物を除去する方法を提供する。
METHOD FOR REMOVING SILICONE POLYMER DEPOSIT FROM ELECTRONIC COMPONENT
電子コンポーネントからシリコーンポリマ付着物を除去する方法