The present invention relates to a process for vapor depositing a low dielectric insulating film, a thin film transistor using the same, and a preparation method thereof, and more particularly to a process for vapor deposition of low dielectric insulating film that can significantly improve a vapor deposition speed while maintaining properties of the low dielectric insulating film, thereby solving parasitic capacitance problems to realize a high aperture ratio structure, and can reduce a process time by using silane gas when vapor depositing an insulating film by a CVD or PECVD method to form a protection film for a semiconductor device.
本発明は低誘電率絶縁膜の蒸着方法、これを利用した薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものであて、より詳しくは、ＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法で絶縁膜を蒸着して半導体素子の保護膜の形成時にシラン気体を使用することによって低誘電率絶縁膜の物性はそのままに維持しながら蒸着速度を大きく改善することにより寄生容量問題を解除して高開口率構造を実現でき、工程時間を短縮できる半導体素子の低誘電率絶縁膜の蒸着方法に関するものである。
The invention is particularly concerned with a novel and highly efficient method of removing cured Sylgard(TM) (Trademark of Dow Corning Corp.) and related elastomeric silicone adhesives from the surface of ceramics, metals, cured epoxy resins, and polyimides for reclamation and reuse of the recovered semiconductor assembly parts.
本発明は、特に、回収された半導体組立体部品の再利用および再使用のために、セラミックス，金属，硬化エポキシ樹脂，ポリイミドの表面から、硬化Ｓｙｌｇａｒｄ（Ｄｏｗ　Ｃｏｒｎｉｎｇ　Ｃｏｒｐ．の登録商標）および関連するエラストメリックシリコーン接着材を除去する新規かつ極めて有効な方法に関する。
Yet another object of the present invention is to provide an efficient method of removing Sylgard residue and related silicone polymer residues from electronic components which is compatible with a variety of material surfaces including Cu, Cr, Pb/Sn, lead-free solders, polyimide passivation coatings, cured epoxies, ceramic chip carriers and silicon device chips.
本発明のさらに他の目的は、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｐｂ／Ｓｎ，無鉛はんだ，ポリイミドペシベーション被覆，硬化エポキシ，セラミックチップキャリア，シリコンデバイスチップを含む種々の表面に対して相溶性のある、Ｓｙｌｇａｒｄ残留物および関連するシリコーンポリマ残留物を、電子コンポーネントから除去する効果的な方法を提供することにある。
This invention relates to a method of removing cured silicone polymer deposits from the surface of electronic components to provide product rework, recovery, and defect repair in microelectronics fabrication.
本発明は、マイクロエレクトロニクス製造において製品の再加工、回収，欠陥修理を行うために、電子コンポーネントの表面から、硬化シリコンポリマ付着物を除去する方法に関する。
The present invention relates to methods of fabricating semiconductor components in which at least one step of plasma-enhanced chemical vapor deposition is performed consisting in exposing a semiconductor substrate in a vacuum to a flow of particles generated by a plasma, the particles reacting to form a passivation layer on the substrate of a material that has dielectric properties.
本発明は、プラズマによって発生した粒子の流れに半導体基板を真空状態で曝露し、この粒子は反応して誘電特性のある材料の不活性化層を基板上に形成することに存する少なくとも１つのプラズマ強化化学的気相成長法（ＰＥＣＶＤ）の工程が実行される、半導体コンポーネントを製造する方法に関する。
if it were desired to employ the principles of the invention to promote
この発明の原理を用いて…を促進したから
to achieve the objects of the invention one is not limited to using ＡＡ.
本発明の目的を達成するにはＡＡを用いることには限られるものではい。
it is a further object of the invention that the method can performed without
本発明のさらに他の目的は、この方法を…せずに行えるようにすることである
it is therefore the object of the present invention to provide an improved
よって本発明の目的は改良された…を供することにある
the products of the process according to the invention can also be used as
本製法の生成物を、…に使用することも可能である
to succeed legally to the ownership of the invention
法的に発明の所有権を継承
The technical field generally relates to chromatographic systems and in particular to methods for matching retention times among multiple chromatographic systems.
本発明は、一般にクロマトグラフィーシステムに関し、とくに複数のクロマトグラフィーシステムの間で保持時間を整合させる方法に関する。
The present invention also relates to a method for forming a pattern of a photoresist.
本発明はまた、フォトレジストのパターンを形成する方法にも関する。

SUMMARY OF THE INVENTION
[0008] Accordingly, a method is provided to deposit a high-k material by first forming an interfacial layer overlying a hydrogen passivated surface.

（発明の要旨）
【０００８】 従って、最初に、水素パッシベート表面の上にある界面層を形成することによってｈｉｇｈ−ｋ材料を堆積するための方法が提供される。
The present invention also relates to a thin film transistor using the process and preparation method thereof.
本発明は、さらに、これを利用した薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。
the method of this invention is applicable to any bisphenol production method
本発明の方法は、いずれのビスフェノール製造法にも適用可能である
this invention relates to an improved mounting means for an
この発明は…用の改良した取付け装置に関する
The present invention relates to communication signal mixing and filtering systems and methods utilizing an encapsulated micro electro-mechanical system (MEMS) device.
本発明は、カプセル封止されたマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを利用した、通信信号のミキシングおよびフィルタリング装置および方法に関する。
The present invention relates to a MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) switch and its fabrication method.
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical Systems）スイッチ及びその製造方法に係り、
The present invention describes a new method of removing cured elastomeric silicone adhesive, particularly, Sylgard and related silicone polymers which are commonly used in electronic module assembly.
本発明は、電子モジュール組立体において一般的に用いられる、硬化エラストメリックシリコーン接着材、特にＳｙｌｇａｒｄおよび関連するシリコーンポリマを除去する新規な方法を開示する。