In a preferred method of forming a bilevel resist, a 0.6-1 .mu.m underlayer of a diazonaphthoquinone-containing photoactive compound in a novolac resin matrix is coated on a substrate by spin-applying.
２層レジストを形成する好適な実施例では、ノボラックマトリックス樹脂内のジアゾナフトキノン含有光活性化合物の０．６〜１μｍ下層を、スピン塗布により基板上に被覆する。
Generally, during exposure in a non-chemically amplified system, absorption of 1 photon by the photoactive compound generates 1 molecule of a carboxylic acid.
一般に、化学増感されない系における露光の際には、光活性化合物による１フォトンの吸収は、カルボン酸の１分子を生成する。
Moreover, when these polymers are combined with diazonaphthoquinone-based photoactive compounds (PACs), exposure doses of >100 mJ/cm@2 at 365 nm are required to pattern the resist.
さらに、ジアゾナフトキノンを主成分とする光活性化合物（ＰＡＣ）と結合されるときには、レジスタをパターン化するのに１００ｍＪ／ｃｍ2 以上の露光線量を必要とする。