This variation means that the dimensions of any pattern being imaged in the resist will vary as the step geometry is traversed.
このレジスト厚の変化は、レジストに描画されるパターン寸法が、段差形状が横断するにつれて変わることを意味している。
However, as shown in FIG. 1, the major drawback of using a thin layer of resist 27 is that the variation of resist thickness over a diffusion step 21 on a substrate 23 and into an etched pattern 25 increases as the pattern size becomes smaller.
しかし、図１に示すように、レジスト薄層２７を用いることの主な欠点は、基板２３上での拡散段差２１上からエッチング・パターン２５へのレジスト層の変化が、パターン・サイズが小さくなるにつれて増大することである。
In addition to using shorter wavelengths during exposure, it is also desirable to use a thinner layer of resist.
露光時に短波長の光を用いることに加えて、より薄いレジスト層を用いることが望ましい。
Generally, a depth of focus of 1 to 2 .mu.m is required for an adequate lithographic process window, in order to accommodate variations in the thickness or height of the resist film.
レジスト膜の厚さまたは高さの変化を受け入れるためには、適切なリソグラフィ・プロセス・ウィンドウに対し、一般に、１〜２μｍの焦点深度が必要とされる。
The resist contains arylsilsesquioxane polymers with acid sensitive pendant groups as dissolution inhibitors and a photoacid generator.
本発明のポジ形レジストは、溶解インヒビタおよび感光酸ジェネレータとしての酸感応ペンダント基を有するアリルシルセスキオキサンポリマを含んでいる。
A method of synthesizing a silicon-containing positive resist for use as a imaging layer in DUV, x-ray, or e-beam lithography is disclosed.
ＤＵＶ，Ｘ線，またはｅ−ビームリソグラフィにおいて、描画層として用いられるシリコン層有ポジ形レジストの合成方法を提供する。
Also, the following Table 1 illustrates the dramatic effect of incorporation of germanium into resist films, on the RIE etch rates in two different plasmas.
また、下記の表１は、レジスト皮膜にゲルマニウムを取り込むことによる、２種類の異なるプラズマ中でのＲＩＥエッチング速度への、劇的な効果を示している。
The residual resist is removed.
残ったレジストを除去する。
The resist is patterned by e-beam.
レジストを電子線でパターニングする。
The metal layer is coated with e-beam resist.
この金属層を、電子線レジストでコーティングする。
e) subjecting the layer to be patterned to reactive ion etching with the resist acting as a mask to thereby form the desired pattern on the substrate.
ｅ）パターン形成される層に、レジストをマスクとして反応性イオン・エッチングを行って基板上に所期のパターンを形成するステップとを含む。
d) developing the resist to form the desired pattern; and
ｄ）レジストを現像して所期のパターンを形成するステップと、
c) imagewise exposing the layer of resist composition to irradiation;
ｃ）レジスト組成物の層を像に従って放射で露光するステップと、
b) providing on the layer to be patterned a layer of a resist composition which comprises a polymer comprising a polymeric backbone having grafted thereon at least one member selected from the group consisting of silicon, germanium, tin and mixtures thereof; and a protecting group;
ｂ）パターン形成される層の上に、シリコン、ゲルマニウム、スズ、およびこれらの混合物からなる群から選択した少なくとも１種類の元素をグラフトさせた重合体骨格と保護基とを有する重合体を含むレジスト組成物の層を設けるステップと、
Conventional novolak/diazonapthoquinone resists used for i-line lithography have to date exhibited excellent dry etch resistance to which other resist materials are compared.
ｉ線リソグラフィに使用される従来のノボラック／ジアゾナフトキノン・レジストは、現在まで他のレジストに匹敵する優れた乾式エッチング耐性を示してきた。
One of the challenges in the fabrication of microelectronic devices and masks is to develop a resist which exhibits good lithographic performance as well as high dry etch resistance for subsequent pattern transfer into an underlying substrate.
マイクロエレクトロニクス装置およびマスクの製作で解決すべき問題の１つは、良好なリソグラフィ特性とともに、後工程での下層の基板へのパターン転写のために、乾式エッチングに耐えるレジストを開発することである。
After the resist is developed forming the desired mask, the substrate and mask can be immersed in a chemical solution which attacks the substrate to be etched while leaving the mask intact.
レジストを現像して所期のマスクを形成した後、エッチングすべき基板を浸食し、マスクはそのまま残す化学薬品の溶液に、基板とマスクを浸漬することができる。
The pattern is formed by imagewise exposing the resist material to irradiation by lithographic techniques.
パターンは、このレジスト材料をリソグラフィ技術により像に従って放射で露光して形成する。
The resist is normally formed of a polymeric organic material.
このレジストは通常、重合した有機材料により形成される。
The mask is typically created by imagewise forming a pattern of resist material over those areas of the substrate to be shielded from the etching.
マスクは通常、エッチングされないように遮蔽されるべき基板の領域上に、レジスト材料のパターンを像に従って形成することにより作成する。
This composition comprising a polymer having at least one kind of silicon, germanium and tin, and a protective group grafted on the skeleton of the polymer is useful as a resist, has a sensitivity to the radiation for forming an image, and exhibits an enhanced resistance to reactive ion etching.
シリコン、ゲルマニウム、スズのうちの少なくとも１種類を有する重合体と、重合体の骨格にグラフトさせた保護基を含む組成物は、レジストとして有用であり、像形成する放射に感度を有するとともに、強化された耐反応性イオン・エッチング性を示す。
The disclosed stripping compositions are comprised of a tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) in 1:2 volume ratio of NMP and isopropanol (IPA) for removing exposed silicone resin after which the resist mask is removed exposing the remaining silicone resin film protection over active areas of the device.
開示された除去組成物は、容積比が１：２のＮＭＰとイソプロパノール（ＩＰＡ）中のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）よりなり、露出したシリコーン樹脂を除去し、続いてレジストマスクを除去して、デバイスの活性領域上の残留シリコーン樹脂保護膜を露出させる。
Miller et al. U.S. Pat. No. 3,947,952, the disclosure of which is incorporated by reference herein, describes a method of encapsulating beam lead semiconductor devices by a multi-step process including a step involving selective removal of an unmasked portion of a silicone resin through a resist mask.
米国特許第３，９４７，９５２号は、レジストマスクによりシリコーン樹脂のマスクされていない部分の選択的除去を含む工程を有する多工程プロセスによって、ビームリード半導体デバイスを気密封止する方法を開示している。
このレジスト厚の変化は、レジストに描画されるパターン寸法が、段差形状が横断するにつれて変わることを意味している。
However, as shown in FIG. 1, the major drawback of using a thin layer of resist 27 is that the variation of resist thickness over a diffusion step 21 on a substrate 23 and into an etched pattern 25 increases as the pattern size becomes smaller.
しかし、図１に示すように、レジスト薄層２７を用いることの主な欠点は、基板２３上での拡散段差２１上からエッチング・パターン２５へのレジスト層の変化が、パターン・サイズが小さくなるにつれて増大することである。
In addition to using shorter wavelengths during exposure, it is also desirable to use a thinner layer of resist.
露光時に短波長の光を用いることに加えて、より薄いレジスト層を用いることが望ましい。
Generally, a depth of focus of 1 to 2 .mu.m is required for an adequate lithographic process window, in order to accommodate variations in the thickness or height of the resist film.
レジスト膜の厚さまたは高さの変化を受け入れるためには、適切なリソグラフィ・プロセス・ウィンドウに対し、一般に、１〜２μｍの焦点深度が必要とされる。
The resist contains arylsilsesquioxane polymers with acid sensitive pendant groups as dissolution inhibitors and a photoacid generator.
本発明のポジ形レジストは、溶解インヒビタおよび感光酸ジェネレータとしての酸感応ペンダント基を有するアリルシルセスキオキサンポリマを含んでいる。
A method of synthesizing a silicon-containing positive resist for use as a imaging layer in DUV, x-ray, or e-beam lithography is disclosed.
ＤＵＶ，Ｘ線，またはｅ−ビームリソグラフィにおいて、描画層として用いられるシリコン層有ポジ形レジストの合成方法を提供する。
Also, the following Table 1 illustrates the dramatic effect of incorporation of germanium into resist films, on the RIE etch rates in two different plasmas.
また、下記の表１は、レジスト皮膜にゲルマニウムを取り込むことによる、２種類の異なるプラズマ中でのＲＩＥエッチング速度への、劇的な効果を示している。
The residual resist is removed.
残ったレジストを除去する。
The resist is patterned by e-beam.
レジストを電子線でパターニングする。
The metal layer is coated with e-beam resist.
この金属層を、電子線レジストでコーティングする。
e) subjecting the layer to be patterned to reactive ion etching with the resist acting as a mask to thereby form the desired pattern on the substrate.
ｅ）パターン形成される層に、レジストをマスクとして反応性イオン・エッチングを行って基板上に所期のパターンを形成するステップとを含む。
d) developing the resist to form the desired pattern; and
ｄ）レジストを現像して所期のパターンを形成するステップと、
c) imagewise exposing the layer of resist composition to irradiation;
ｃ）レジスト組成物の層を像に従って放射で露光するステップと、
b) providing on the layer to be patterned a layer of a resist composition which comprises a polymer comprising a polymeric backbone having grafted thereon at least one member selected from the group consisting of silicon, germanium, tin and mixtures thereof; and a protecting group;
ｂ）パターン形成される層の上に、シリコン、ゲルマニウム、スズ、およびこれらの混合物からなる群から選択した少なくとも１種類の元素をグラフトさせた重合体骨格と保護基とを有する重合体を含むレジスト組成物の層を設けるステップと、
Conventional novolak/diazonapthoquinone resists used for i-line lithography have to date exhibited excellent dry etch resistance to which other resist materials are compared.
ｉ線リソグラフィに使用される従来のノボラック／ジアゾナフトキノン・レジストは、現在まで他のレジストに匹敵する優れた乾式エッチング耐性を示してきた。
One of the challenges in the fabrication of microelectronic devices and masks is to develop a resist which exhibits good lithographic performance as well as high dry etch resistance for subsequent pattern transfer into an underlying substrate.
マイクロエレクトロニクス装置およびマスクの製作で解決すべき問題の１つは、良好なリソグラフィ特性とともに、後工程での下層の基板へのパターン転写のために、乾式エッチングに耐えるレジストを開発することである。
After the resist is developed forming the desired mask, the substrate and mask can be immersed in a chemical solution which attacks the substrate to be etched while leaving the mask intact.
レジストを現像して所期のマスクを形成した後、エッチングすべき基板を浸食し、マスクはそのまま残す化学薬品の溶液に、基板とマスクを浸漬することができる。
The pattern is formed by imagewise exposing the resist material to irradiation by lithographic techniques.
パターンは、このレジスト材料をリソグラフィ技術により像に従って放射で露光して形成する。
The resist is normally formed of a polymeric organic material.
このレジストは通常、重合した有機材料により形成される。
The mask is typically created by imagewise forming a pattern of resist material over those areas of the substrate to be shielded from the etching.
マスクは通常、エッチングされないように遮蔽されるべき基板の領域上に、レジスト材料のパターンを像に従って形成することにより作成する。
This composition comprising a polymer having at least one kind of silicon, germanium and tin, and a protective group grafted on the skeleton of the polymer is useful as a resist, has a sensitivity to the radiation for forming an image, and exhibits an enhanced resistance to reactive ion etching.
シリコン、ゲルマニウム、スズのうちの少なくとも１種類を有する重合体と、重合体の骨格にグラフトさせた保護基を含む組成物は、レジストとして有用であり、像形成する放射に感度を有するとともに、強化された耐反応性イオン・エッチング性を示す。
The disclosed stripping compositions are comprised of a tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) in 1:2 volume ratio of NMP and isopropanol (IPA) for removing exposed silicone resin after which the resist mask is removed exposing the remaining silicone resin film protection over active areas of the device.
開示された除去組成物は、容積比が１：２のＮＭＰとイソプロパノール（ＩＰＡ）中のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）よりなり、露出したシリコーン樹脂を除去し、続いてレジストマスクを除去して、デバイスの活性領域上の残留シリコーン樹脂保護膜を露出させる。
Miller et al. U.S. Pat. No. 3,947,952, the disclosure of which is incorporated by reference herein, describes a method of encapsulating beam lead semiconductor devices by a multi-step process including a step involving selective removal of an unmasked portion of a silicone resin through a resist mask.
米国特許第３，９４７，９５２号は、レジストマスクによりシリコーン樹脂のマスクされていない部分の選択的除去を含む工程を有する多工程プロセスによって、ビームリード半導体デバイスを気密封止する方法を開示している。
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