レバレッジ特許翻訳講座【第12期】

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In addition, minimal thermal strain will be placed on the connecting joints (e.g., solder joints) between the integrated circuit chip and the chip carrier composite substrate.
また、集積回路チップとチップ支持体の複合基板との間の接続点(例えばハンダ付けされる点)には、極めて小さな熱歪みが生ずることになる。
FIG. 10 shows a conventional multi chip module (MCM) having a ceramic chip carrier with a plurality of chips attached through solder joints which are not encapsulated, a thermal compound dispensed over the chips for cooling, and a conventional protective cap attached to the chip carrier with a silicone polymer adhesive.
【図10】複数のチップを気密封止されていないはんだ接合で取り付けたセラミックチップキャリアと、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、シリコーンポリマ接着材シールバンドによってチップキャリアに接合された通常の金属キャップとを有する通常のマルチチップ・モジュール(MCM)を示す図である。
FIG. 9 shows a conventional single chip module (SCM) having a ceramic chip carrier or substrate with a single chip attached through solder joints which are not encapsulated, a thermal compound dispensed over the chip for cooling, and a metal cap for device protection which is bonded to the substrate through a silicone polymer adhesive seal band at the perimeter.
【図9】シングルチップを気密封止されていないはんだ接合で取り付けたセラミックチップキャリアまたは基板と、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンドによって基板に接合されたデバイス保護用の金属キャップとを有する通常のシングルチップ・モジュール(SCM)を示す図である。
FIG. 1 shows a conventional single chip module (SCM) having a ceramic chip carrier or substrate with a single chip attached through solder joints encapsulated with epoxy encapsulant, a thermal compound dispensed over the chip for cooling, and a metal cap for device protection which is bonded to the substrate through a silicone polymer adhesive seal band at the perimeter.
【図1】エポキシ気密封止材で封止されたはんだ接合で取り付けられたシングルチップを有するセラミックチップキャリアまたは基板と、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンドによって基板に接合されたデバイス保護用の金属キャップとを有する通常のシングルチップ・モジュール(SCM)を示す図である。
The purpose and advantages of the present invention have been achieved by providing a method for removing silicone polymer deposits from electronic assembly component surfaces, interfaces, and under the chip regions of solder joined device to substrate pads, as for example, in the case of flip-chip bonding.
本発明の目的および効果は、電子組立体コンポーネントの表面,界面,例えばフリップチップ接合の場合には基板パッドにはんだ接合されたデバイスのチップ領域の下から、シリコーンポリマ付着物を除去する方法を提供することによって達成される。
In view of the drawbacks in the silicone residue removal methods of the prior art, a need exists for an improved method in terms of providing more efficient and complete removal, preferably without requiring manual scrubbing or wiping, and which is based on neutral or mildly alkaline solution chemistry such that it is compatible with the various metals including solder alloys, polymers and inorganic materials used in the fabrication of electronic components.
従来技術のシリコーン残留物除去方法における欠点から、好ましくは手作業によるこすり落としまたは拭きとりを必要としない、より効果的で完全な除去を与えることに関する改善された方法であって、電子コンポーネントの製造に用いられるはんだ合金を含む様々な金属,ポリマ,無機材料に対して相溶性のある中アルカリ性または弱アルカリ性の化学溶液に基づく、改善された方法の必要性が存在する。
To obtain an epoxy resin composition excellent in moldability, flame retardance, low water absorptivity and solder resistance.
成形性、難燃性に優れ、低吸水率で、かつ耐半田性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供すること。



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FIG. 10 shows a conventional multi chip module (MCM) having a ceramic chip carrier with a plurality of chips attached through solder joints which are not encapsulated, a thermal compound dispensed over the chips for cooling, and a conventional protective cap attached to the chip carrier with a silicone polymer adhesive.
【図10】複数のチップを気密封止されていないはんだ接合で取り付けたセラミックチップキャリアと、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、シリコーンポリマ接着材シールバンドによってチップキャリアに接合された通常の金属キャップとを有する通常のマルチチップ・モジュール(MCM)を示す図である。
FIG. 9 shows a conventional single chip module (SCM) having a ceramic chip carrier or substrate with a single chip attached through solder joints which are not encapsulated, a thermal compound dispensed over the chip for cooling, and a metal cap for device protection which is bonded to the substrate through a silicone polymer adhesive seal band at the perimeter.
【図9】シングルチップを気密封止されていないはんだ接合で取り付けたセラミックチップキャリアまたは基板と、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンドによって基板に接合されたデバイス保護用の金属キャップとを有する通常のシングルチップ・モジュール(SCM)を示す図である。
FIG. 1 shows a conventional single chip module (SCM) having a ceramic chip carrier or substrate with a single chip attached through solder joints encapsulated with epoxy encapsulant, a thermal compound dispensed over the chip for cooling, and a metal cap for device protection which is bonded to the substrate through a silicone polymer adhesive seal band at the perimeter.
【図1】エポキシ気密封止材で封止されたはんだ接合で取り付けられたシングルチップを有するセラミックチップキャリアまたは基板と、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンドによって基板に接合されたデバイス保護用の金属キャップとを有する通常のシングルチップ・モジュール(SCM)を示す図である。
The matters required for these resin compositions in their practical applications vary according to the type of semiconductor elements to be encapsulated, the type of a semiconductor device comprising such encapsulated elements, the use environment and other factors.
この樹脂組成物に要求される項目は、半導体素子の種類、封止される半導体装置の種類、使用される環境等によって変化しつつある。
The present invention relates to communication signal mixing and filtering systems and methods utilizing an encapsulated micro electro-mechanical system (MEMS) device.
本発明は、カプセル封止されたマイクロ電気機械システム(MEMS)デバイスを利用した、通信信号のミキシングおよびフィルタリング装置および方法に関する。
A device as claimed in claim 8, wherein said embedded device is an encapsulated micro electro-mechanical (MEMS) system band-pass filter which is recessed below an upper surface of said chip or wafer.
前記埋め込まれている通信信号ミキシング/フィルタリング・デバイスは、前記チップまたはウェハの上面の下に設けられるカプセル封止されたマイクロ電気機械システム(MEMS)帯域通過フィルタである、請求項8に記載のデバイス。
A device as claimed in claim 1, wherein said device comprises an encapsulated band-pass filter.
カプセル封止された帯域通過フィルタを備える、請求項1に記載のデバイス。
Heiss et al. U.S. Pat. No. 4,089,704, the disclosure of which is incorporated by reference herein, describes a method for removing silicone rubber encapsulating material from microelectronic circuits using methanolic tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) in ethanol or isopropanol (IPA).
米国特許第4,089,704号は、エタノールまたはイソプロパノール(IPA)中のメタノリックテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を用いて、マイクロエレクトロニック回路から、シリコーンゴム気密封止材料を除去する方法を開示している。
Miller et al. U.S. Pat. No. 3,947,952, the disclosure of which is incorporated by reference herein, describes a method of encapsulating beam lead semiconductor devices by a multi-step process including a step involving selective removal of an unmasked portion of a silicone resin through a resist mask.
米国特許第3,947,952号は、レジストマスクによりシリコーン樹脂のマスクされていない部分の選択的除去を含む工程を有する多工程プロセスによって、ビームリード半導体デバイスを気密封止する方法を開示している。
At present, however, there is available no encapsulating resin composition which can perfectly satisfy requirements for good moldability, low water absorption, high soldering resistance, etc.
しかし、現在のところ封止用の樹脂組成物として良好な成形性、吸水率、耐半田性等を完全に満足させるものは、未だ提案されていない。
The present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements, which composition is low in water absorption and has excellent soldering resistance, and to semiconductor devices using this resin composition for encapsulation.
本発明は、低吸水率、及び耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
A semiconductor device wherein an epoxy resin composition according to Claim 1, 2, 3 or 4 is used for encapsulating semiconductor elements.
請求項1、2、3、1又は4記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
An epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements according to Claim 1 or 2, wherein the phenol resin is the one represented by the formula (3) or the formula (4) or a resin produced by conducting polycondensation of a petroleum heavy oil, formaldehyde polycondensate and a phenol: EMI25.1 wherein n is a mean value which is a positive number of 1 or greater, EMI25.2 wherein R1 is a hydrogen atom or a methyl group, and n is a mean value which is a positive number of 1 or greater.
フェノール樹脂が、一般式(3)で示されるフェノール樹脂、一般式(4)で示されるフェノール樹脂、又は石油系重質油とホルムアルデヒド重縮合物とフェノール類を重縮合させた樹脂である請求項1、2、又は3記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化3】 (nは平均値で、1以上の正数) 【化4】 (R1は、水素原子、又はメチル基、nは平均値で、1以上の正数)
An epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements according to Claim 1 or 2, wherein the epoxy resin is the one represented by the formula (1) or the formula (2):EMI24.1 wherein R1 to R4 are a hydrogen atom, a phenyl group or a methyl group and may be identical or different, EMI24.2 wherein R1 to R8 are a hydrogen atom, a methyl group or a tertiary butyl group and may be identical or different.
エポキシ樹脂が、一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、又は一般式(2)で示されるエポキシ樹脂である請求項1、又は2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(R1〜R4は、水素原子、フェニル基又はメチル基で、同一でも異なっていてもよい)【化2】(R1〜R8は、水素原子、メチル基、又はターシャリーブチル基で、同一でも異なっていてもよい)
An epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements, said composition comprising (A) an epoxy resin in which the proportion of the carbon atoms of aromatic derivation to the whole carbon atoms in the epoxy resin is 70% or more, (B) a phenol resin in which the proportion of the carbon atoms of aromatic derivation to the whole carbon atoms in the phenol resin is 70% or more, and whose phenolic hydroxy equivalent is 140 to 300, (C) a curing accelerator, and (D) an inorganic filler whose content W (wt%) in the whole epoxy resin composition satisfies 88W + [0.1 x (100 - W)] (A)エポキシ樹脂中の全炭素原子の芳香族由来の炭素原子含有率が70%以上であるエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂中の全炭素原子の芳香族由来の炭素原子含有率が70%以上で、かつフェノール性水酸基当量が140〜300であるフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)全エポキシ樹脂組成物中に含まれる無機充填材の添加量W(重量%)が、88≦W≦94であるエポキシ樹脂組成物において、硬化したエポキシ樹脂組成物の空気雰囲気中のTG分析における硬化物の残存率A(重量%)が、
W+〔0.1×(100−W)〕 ≦ Aであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
An epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements, said composition comprising (A) an epoxy resin in which the proportion of carbon atoms of aromatic derivation to the whole carbon atoms in the epoxy resin is 70% or more, (B) a phenol resin in which the proportion of the carbon atoms of aromatic derivation to the whole carbon atoms in the phenol resin is 70% or more, and whose phenolic hydroxy equivalent is 140 to 300, (C) a curing accelerator, and (D) an inorganic filler whose content W (wt%) in the whole epoxy resin composition satisfies 88 (A)エポキシ樹脂中の全炭素原子の芳香族由来の炭素原子含有率が70%以上であるエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂中の全炭素原子の芳香族由来の炭素原子含有率が70%以上で、かつフェノール性水酸基当量が140〜300であるフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)全エポキシ樹脂組成物中に含まれる無機充填材の添加量W(重量%)が、88≦W≦94であるエポキシ樹脂組成物において、硬化したエポキシ樹脂組成物の空気雰囲気中のTG曲線(Thermogravimetric analysis)における燃焼開始温度が、280℃以上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Further, the device is about 20 .mu.m.times.20 .mu.m in size, rendering it difficult to encapsulate for protection against further IC processing.
さらに、デバイスは、約20μm×20μmであり、さらなるIC処理に対する保護のためのカプセル封止を困難にする。

FIG. 10 shows a conventional multi chip module (MCM) having a ceramic chip carrier with a plurality of chips attached through solder joints which are not encapsulated, a thermal compound dispensed over the chips for cooling, and a conventional protective cap attached to the chip carrier with a silicone polymer adhesive.
【図10】複数のチップを気密封止されていないはんだ接合で取り付けたセラミックチップキャリアと、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、シリコーンポリマ接着材シールバンドによってチップキャリアに接合された通常の金属キャップとを有する通常のマルチチップ・モジュール(MCM)を示す図である。
FIG. 9 shows a conventional single chip module (SCM) having a ceramic chip carrier or substrate with a single chip attached through solder joints which are not encapsulated, a thermal compound dispensed over the chip for cooling, and a metal cap for device protection which is bonded to the substrate through a silicone polymer adhesive seal band at the perimeter.
【図9】シングルチップを気密封止されていないはんだ接合で取り付けたセラミックチップキャリアまたは基板と、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンドによって基板に接合されたデバイス保護用の金属キャップとを有する通常のシングルチップ・モジュール(SCM)を示す図である。
FIG. 8 shows the conventional multi-chip module of FIG. 7 wherein a metal heat sink is attached to the metal plate with a thermally conductive silicone polymer adhesive and the metal plate itself is directly attached to the silicon device chip with a silicone polymer adhesive.
【図8】熱伝導シリコーン接着材によって、金属ヒートシンクを金属プレートに取り付け、金属プレート自体がシリコーンポリマ接着材によってシリコンデバイス・チップに直接取り付けられた通常のマルチチップ・モジュールを示す図である。
FIG. 7 shows a conventional multi-chip module where a metal plate for heat dissipation is directly attached to the back side of the chip with a silicone polymer adhesive.
【図7】熱放散用の金属プレートが、シリコーンポリマ接着材によってチップの裏面に直接に取り付けられた通常のマルチチップ・モジュールを示す図である。
FIG. 5 shows a conventional multi-chip module (MCM) with the conventional protective cap attached to the chip carrier with a silicone polymer adhesive.
【図5】通常の保護キャップがシリコーンポリマ接着材によってチップキャリアに取り付けられた通常のマルチチップ・モジュール(MCM)を示す図である。
FIG. 4 shows a conventional single chip module as in FIG. 3 where a thermally conductive silicone adhesive is used to attach a metal heat sink to the metal plate and the metal plate to the chip.
【図4】熱伝導シリコーン接着材を用いて、金属ヒートシンクを金属プレートに取り付け、金属プレートをチップに取り付けた、図3と同様のシングルチップ・モジュールを示す図である。
FIG. 3 shows a conventional single chip module as in FIG. 1 with a metal plate bonded to the chip with a silicone polymer adhesive.
【図3】シリコーンポリマ接着材でチップに接合された金属プレートを有する図1と同様のシングルチップ・モジュールを示す図である。
FIG. 2 shows a conventional single chip module assembly as in FIG. 1 but having a heat sink or heat slug attached to the protective cap with a thermally conductive silicone adhesive.
【図2】図1と同様であるが、保護キャップに熱伝導シリコーン接着材によって取り付けられたヒートシンクまたはヒートスラグを有する通常のシングルチップ・モジュール組立体を示す図である。
FIG. 1 shows a conventional single chip module (SCM) having a ceramic chip carrier or substrate with a single chip attached through solder joints encapsulated with epoxy encapsulant, a thermal compound dispensed over the chip for cooling, and a metal cap for device protection which is bonded to the substrate through a silicone polymer adhesive seal band at the perimeter.
【図1】エポキシ気密封止材で封止されたはんだ接合で取り付けられたシングルチップを有するセラミックチップキャリアまたは基板と、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンドによって基板に接合されたデバイス保護用の金属キャップとを有する通常のシングルチップ・モジュール(SCM)を示す図である。
A major problem in the use of crosslinked elastomeric silicone adhesives such as Sylgard in electronic assembly products has been the difficulty in removing the cured polymer material and obtaining residue-free surfaces for module assembly rework, repair of defective components, and for reuse or recycling of assembly parts.
電子組立製品においてSylgardのような架橋エラストメリックシリコーンを用いる際の主な問題は、硬化したポリマ材料を除去し、モジュール組立体の再加工,欠陥コンポーネントの修理,組立体部品の再利用およびリサイクルのために、残留物のない表面を得ることの困難性であった。
For example, one major application in non-hermetic ceramic module assembly includes Sylgard seal band attachment of a protective metal cap onto a ceramic chip carrier to provide protection of the semiconductor device against mechanical damage, moisture ingress, and environmental corrosion.
例えば、ノンハーメチック・セラミックモジュール組立体における1つの主要な応用は、機械的ダメージ,湿度侵入,環境腐食に対する半導体デバイスの保護を与えるために、セラミックチップキャリアに保護金属キャップをSylgardシールバンドで取り付けることを含んでいる。
The present invention describes a new method of removing cured elastomeric silicone adhesive, particularly, Sylgard and related silicone polymers which are commonly used in electronic module assembly.
本発明は、電子モジュール組立体において一般的に用いられる、硬化エラストメリックシリコーン接着材、特にSylgardおよび関連するシリコーンポリマを除去する新規な方法を開示する。
with one end loosely fitted between a frame projected part and a rail of a solar battery module
太陽電池モジュールのフレーム張出部とレールとの間に一端を緩嵌合し
press frame module 20 for holding the pressure vessel 3 in an axial direction of vessel
圧力容器3を容器軸方向に把持するプレスフレームモジュール20

For example, there is a desire for resist compositions exhibiting improved development characteristics (e.g., resolution, development speed, contrast, shrinkage, etc.), improved etch resistance, and improved lithographic process window.
例えば、改善された現像特性(例えば解像度、現像スピード、コントラスト、収縮など)、改善された耐エッチング性、及び改善されたリソグラフィ・プロセス・ウィンドウを示すレジスト組成が待望される。
While a photoresist composition must possess desirable optical characteristics to enable image resolution at a desired radiation wavelength, the photoresist composition must also possess suitable chemical and mechanical properties to enable transfer to the image from the patterned photoresist to an underlying substrate layer(s).
フォトレジスト組成は、所望の放射線波長での像解像度を可能にする所望の光学特性を所有しなければならない一方、パターン化されたフォトレジストから、下側の基板層への像の転写を可能にする、適切な化学的属性及び機械的属性を有さねばならない。
The physical properties and especially the CTEs and elastic moduli of glass fabrics and the weaving characteristics of the fabric which control the volume fractions of glass in a fabric.
ガラス織物の物理的性質、特に熱膨張係数及び弾性率、及び織物におけるガラスの容積比を制御する織物の織り特性。
excellent shock absorbing characteristics
優れた衝撃吸収特性

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