レバレッジ特許翻訳講座【第11期】

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A PTFE substrate measuring 5 cm x 5 cm x 4.19 mm (165 mils) thick and containing drilled through holes having 457.2 mu m (18 mils) diameter or an aspect ratio of 9.16-to-1 is exposed to the reducing bath for 10 minutes with constant agitation of the substrate to promote solution flow through the vias.
5cm×5cm×165ミルの厚さの寸法で18ミルの直径または9.16〜1のアスペクト比を有する穴をあけたPTFE基体を一定速度で激しく揺り動かしながら還元浴へ10分間さらし、バイアを通る溶液の流れを促進させた。
Furthermore, these "dry processes" have the potential advantage of greater process control and higher aspect ratio images.
さらに、これらの「乾式法」は、工程管理を改善し、像のアスペクト比を高めるという利点を潜在的に有する。

Finally, the pattern is transferred to the underlayer with an oxygen reactive ion etch process.
最後に、酸素反応性イオン・エッチング・プロセスで、パターンを下層に転写する。
The film is then developed in 0.21N tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) for about 1 minute to form an etch pattern.
次に、0.21Nテトラメチルアンモニウム水酸化物(TMAH)で約1分間現像して、エッチング・パターンを形成する。
The etch ratio compares the rate at which silicon will be eroded versus the rate at which the underlayer is eroded and is a measure of the ability to transfer a pattern to the underlayers.
エッチング比は、シリコンが食刻される速度と下層が食刻される速度との比に相当し、パターンを下層へ転写する能力の測度である。
The etch ratio using PHBS-BOC in combination with MDT as the photoacid generator is 1:23, which indicates that pattern transfer to thicker underlayers is readily accomplished.
感光酸ジェネレータとしてのMDTと組合わせてPHBS−BOCを用いた場合のエッチング比は、1:23であり、これは厚い下層へのパターン転写が容易に行われたことを示している。
Moreover, when these polymers are combined with diazonaphthoquinone-based photoactive compounds (PACs), exposure doses of >100 mJ/cm@2 at 365 nm are required to pattern the resist.
さらに、ジアゾナフトキノンを主成分とする光活性化合物(PAC)と結合されるときには、レジスタをパターン化するのに100mJ/cm2 以上の露光線量を必要とする。
The top resist 5 is soft baked and a pattern 7 formed using conventional resist exposure and development, followed by etch transfer of the top pattern through the bottom resist 1 using the top resist pattern 7 as an etch mask.
上部レジスト5は、ソフト・ベークされ、普通のレジスト露光および現像を用いてパターン7が形成され、上部レジスト・パターン7をエッチング・マスクとして用いて、下部レジスト1に上部パターンをエッチング転写する。
This variation means that the dimensions of any pattern being imaged in the resist will vary as the step geometry is traversed.
このレジスト厚の変化は、レジストに描画されるパターン寸法が、段差形状が横断するにつれて変わることを意味している。
However, as shown in FIG. 1, the major drawback of using a thin layer of resist 27 is that the variation of resist thickness over a diffusion step 21 on a substrate 23 and into an etched pattern 25 increases as the pattern size becomes smaller.
しかし、図1に示すように、レジスト薄層27を用いることの主な欠点は、基板23上での拡散段差21上からエッチング・パターン25へのレジスト層の変化が、パターン・サイズが小さくなるにつれて増大することである。
One method of improving resolution involves using a shorter wavelength light during pattern formation.
分解能を改善する1つの方法によれば、パターニング形成の際に、より短い波長の光を用いている。
The following illustrates a typical fabrication sequence for making optical masks for microlithography by providing a pattern of chromium metal on a quartz plate by the following steps:
下記に、石英板上に金属クロムのパターンを設けることによるマイクロリソグラフィ用の光学マスクを、下記のステップにより作製する典型的な順序を示す。
e) subjecting the layer to be patterned to reactive ion etching with the resist acting as a mask to thereby form the desired pattern on the substrate.
e)パターン形成される層に、レジストをマスクとして反応性イオン・エッチングを行って基板上に所期のパターンを形成するステップとを含む。
d) developing the resist to form the desired pattern; and
d)レジストを現像して所期のパターンを形成するステップと、
A further aspect of the present invention relates to forming a pattern on a substrate.
本発明の他の態様は、基板上にパターンを形成する方法に関する。
c) developing the photoresist to thereby form the pattern.
c)このフォトレジストを現像してパターンを形成するステップを含む。
b) imagewise exposing the layer to actinic radiation in a pattern to thereby cause a change in the solubility of the photoresist where exposed; and
b)この層を像に従って化学放射で露光し、それによって露光部分の溶解度を変化させるステップと、
The present invention also relates to a method for forming a pattern of a photoresist.
本発明はまた、フォトレジストのパターンを形成する方法にも関する。
One of the challenges in the fabrication of microelectronic devices and masks is to develop a resist which exhibits good lithographic performance as well as high dry etch resistance for subsequent pattern transfer into an underlying substrate.
マイクロエレクトロニクス装置およびマスクの製作で解決すべき問題の1つは、良好なリソグラフィ特性とともに、後工程での下層の基板へのパターン転写のために、乾式エッチングに耐えるレジストを開発することである。
The pattern is formed by imagewise exposing the resist material to irradiation by lithographic techniques.
パターンは、このレジスト材料をリソグラフィ技術により像に従って放射で露光して形成する。
The mask is typically created by imagewise forming a pattern of resist material over those areas of the substrate to be shielded from the etching.
マスクは通常、エッチングされないように遮蔽されるべき基板の領域上に、レジスト材料のパターンを像に従って形成することにより作成する。
Nozzles 34, 34a are arranged in a ring-like pattern and are fluidly coupled to gas manifolds 36, 36a, respectively.
ノズル34,34aは、環状の様式にて配置されており、そして、それぞれガスマニホールド36,36aに流体的に連結されている。
Also, when fabricating patterns having feature sizes below 350 nm, dry etching processes are necessary for profile control.
また、フィーチャ寸法が350nm未満のパターンを製作する場合、乾式エッチング法はプロファイル制御の上からも必要である。
An indicator 1 is composed of a first and a second synthetic resin sheets A, B laminated each other at their circumferential edge parts to form a bag-shaped member, thickness of the first and the second synthetic resin sheets A, B is set at 0.05-1.00mm, and an inner surface of at least one of the first and the second synthetic resin sheets A, B is provided with matte patterns of 2.0-20.0&mu m at a 10 point-averaged roughness.
第1,第2の合成樹脂シートA,Bを周縁部で貼り合わせることにより袋状の部材として構成されており、第1,第2の合成樹脂シートA,Bの厚みが0.05〜1.00mmであり、第1,第2の合成樹脂シートA,Bの少なくとも一方の内面が十点平均粗さで2.0〜20.0μmの梨地模様が付与されている、カフ付医療用チューブのインジケーター1。
electronic components bridged among a plurality of circuit patterns 28 within the case 1
ケース1内において複数の回路パターン28間に橋架された電子部品
The resist is then patterned by exposure using a 6-60 mJ/cm@2 dose on a Canon Excimer stepper (NA 0.37, 248 rim) followed by a 60-90 second post-exposure bake at 70 DEG-90 DEG C.
次に、キャノン製のエキシマ・ステッパ(NA0.37,248nm)上で、6〜60mJ/cm2 のドーズを用いる露光によって、レジストをパターニングし、続いて、60〜90秒間,70〜90℃でベークする。
The resist is patterned by e-beam.
レジストを電子線でパターニングする。
b) providing on the layer to be patterned a layer of a resist composition which comprises a polymer comprising a polymeric backbone having grafted thereon at least one member selected from the group consisting of silicon, germanium, tin and mixtures thereof; and a protecting group;
b)パターン形成される層の上に、シリコン、ゲルマニウム、スズ、およびこれらの混合物からなる群から選択した少なくとも1種類の元素をグラフトさせた重合体骨格と保護基とを有する重合体を含むレジスト組成物の層を設けるステップと、
a) providing a layer to be patterned on a substrate;
a)基板上に、パターン形成される層を設けるステップと、
In the manufacture of patterned devices and especially microelectronic devices, the processes of etching different layers that constitute the finished product are among the most crucial steps involved.
パターンを形成した装置、および特にマイクロエレクトロニクス装置の製造で、最終製品を構成する各種の層をエッチングする工程は、関連する最も重要なステップの1つである。
The increasing density of integrated circuits has created a need for higher resolution patterning capabilities.
集積回路密度の増大は、高分解能パターニング性能の必要性を作り出してきた。
POLYMER AND METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING THE SAME
重合体およびそれを使用したパターン形成方法

In a preferred method of forming a bilevel resist, a 0.6-1 .mu.m underlayer of a diazonaphthoquinone-containing photoactive compound in a novolac resin matrix is coated on a substrate by spin-applying.
2層レジストを形成する好適な実施例では、ノボラックマトリックス樹脂内のジアゾナフトキノン含有光活性化合物の0.6〜1μm下層を、スピン塗布により基板上に被覆する。
Generally, during exposure in a non-chemically amplified system, absorption of 1 photon by the photoactive compound generates 1 molecule of a carboxylic acid.
一般に、化学増感されない系における露光の際には、光活性化合物による1フォトンの吸収は、カルボン酸の1分子を生成する。
Moreover, when these polymers are combined with diazonaphthoquinone-based photoactive compounds (PACs), exposure doses of >100 mJ/cm@2 at 365 nm are required to pattern the resist.
さらに、ジアゾナフトキノンを主成分とする光活性化合物(PAC)と結合されるときには、レジスタをパターン化するのに100mJ/cm2 以上の露光線量を必要とする。

The polymers utilized in the present invention are synthesized by protecting the phenolic sites on the sidechains of a PHBS molecule with acid labile groups, which act as dissolution inhibitors.
本発明に用いられるポリマは、溶解インヒビタ(inhibitor)として働く酸置換活性基を有するPHBS分子の側鎖上のフェノール・サイトを保護することによって合成される。
However, in a chemically amplified system, 1 molecule of a sulfonic acid will further react with acid labile groups, thereby allowing the removal of up to 1000 acid labile groups with the absorption of a single photon; this, in turn, provides an increased rate of solubilization in the exposed areas of the resist.
しかし、化学増感された系では、スルホン酸の1分子は、酸置換活性基とさらに反応して、1フォトンの吸収で1000個の酸置換活性基まで除去することを可能にする。このことはまた、レジストの露光領域における可溶化速度を増大させる。
Generally, during exposure in a non-chemically amplified system, absorption of 1 photon by the photoactive compound generates 1 molecule of a carboxylic acid.
一般に、化学増感されない系における露光の際には、光活性化合物による1フォトンの吸収は、カルボン酸の1分子を生成する。
Examples of suitable epoxy compounds, which may be solid or liquid, are the di- or polyglycidyl ethers of (cyclo)aliphatic or aromatic hydroxy compounds, such as ethylene glycol, glycerol or cyclohexanediol (or the epoxides as mentioned in the introduction), or cycloaliphatic epoxy compounds such as epoxidized styrene or divinylbenzene which may subsequently be hydrogenated; glycidyl esters of fatty acids, containing for example from 6-24 carbon atoms; glycidyl (meth)acrylate; epoxy compounds containing an isocyanurate group; an epoxidized polyalkadiene such as, for example, epoxidized polybutadiene; hydantoin epoxy resins; epoxy resins obtained by epoxidation of aliphatic and/or cycloaliphatic alkenes, such as, for example, dipentene dioxide, dicyclopentadiene dioxide and vinylcyclohexene dioxide, and resins containing glycidyl groups, for example polyesters or polyurethanes containing one or more glycidyl groups per molecule, or mixtures of the abovementioned epoxy resins.
固体でも液体でもよい適するエポキシ化合物の例には、(シクロ)−脂肪族−または芳香族ヒドロキシ化合物、例えばエチレングリコール、グリセロールまたはシクロヘキサンジオールのジ−またはポリグリシジルエーテル(または冒頭に記載したエポキシド)または本質的に水素化されていてもよい脂環式エポキシ化合物、例えばエポキシ化スチレンまたは−ジビニルベンゼン;例えば炭素原子数6〜24の脂肪酸のグリシジルエステル;グリシジル(メタ)アクリレート;イソシアヌレート基含有のエポキシ化合物;エポキシ化ポリアルカジエン、例えばエポキシ化ポリブタジエン;ヒダントイン−エポキシ樹脂;脂肪族−および/または脂環式アリケンのエポキシ化によって得られるエポキシ樹脂、例えばジペンテンジオキサイド、ジシクロペンタジエン−ジオキサイドおよびビニルシクロヘキセン−ジオキサイド、およびグリシジル基含有樹脂、例えば1分子当たり一つまたは複数のグリシジル基を含むポリエステルまたはポリウレタン、または上記エポキシ樹脂の混合物がある。
Possible epoxides containing hydroxyl groups, within the meaning of the present invention, are also reaction products of compounds having at least two 1,2-epoxide groups per molecule and epoxide equivalent weights of from 160 to 600, and aromatic dicarboxylic acids or mixtures thereof with compounds from the group comprising (cyclo)aliphatic dicarboxylic acids, monocarboxylic acids and/or monohydric phenols, and optionally cyclic anhydrides.
本発明の意味においての水酸基含有の可能なエポキシドは、1分子当たりに少なくとも二つの1,2−エポキシ基および160〜600のエポキシ当量を持つ化合物と芳香族ジカルボン酸またはそれと、(シクロ)脂肪族ジカルボン酸、モノカルボン酸および/または一価フェノール類および場合によっては環状酸無水物より成る群の化合物との混合物との反応生成物もある。
The weakly acidic cation exchanger can be produced at a temperature of 100[deg.]C or below by polymerizing a polymer having double bonds in the molecule by using a solvent which does not dissolve the polymer.
分子内に二重結合を持つ高分子を、該高分子が溶解しない溶媒を用い、重合することにより、100℃以下の温度で弱酸性陽イオン交換体を製造できる。
CN double bond of the amine structure may be arranged both as part of an open-chain molecule and as a constituent of a cyclic or bicyclic system or also exocyclically on a ring system
アミン構造のCN二重結合は、開鎖分子の一部として配置されてもよく、環式もしくは二環式系の一成分としてあるいはまた環系の外にあってもよい
an epoxy resin having on average more than 1 epoxy group per molecule
平均して1モルあたり1モル以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂
the linear alternating structure implies that the polymers contain one molecule of carbon monoxide for each molecule of the olefinically unsaturated compound
線状交互構造は、ポリマーがオレフィン性不飽和化合物各分子あたり1分子の一酸化炭素を含むことを意味する
contain an average of more than two reactive amine hydrogen atom per molecule
1モルあたり平均二個以上の反応性アミンを含有する
DEVICE FOR REMOVING ORGANIC MOLECULE WITH ULTRAVIOLET RAY AND METHOD FOR REMOVING ORGANIC POLYMER FILM
紫外線による有機分子除去装置及び有機高分子膜の除去方法

The method of claim 4 or of claim 9 wherein said supporting electrolyte salt contains a cation which is at least one member of the group of tetraalkylammonium, tetraalkylphosphonium, alkali metal, mixed alkyl-aryl ammonium, mixed alkyl-aryl phosphonium, or chelated metal and said supporting electrolyte salt anion is at least one member selected from the group of tetrafluoroborate, hexafluorophosphate, perchlorate, halide, aryl sulfonate, and aromatic organic compounds.
前記支持電解質の塩がテトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、アルカリ金属、混合アルキル−アリールアンモニウム、混合アルキル−アリールホスホニウム、またはキレート金属からなる群の少なくとも1員のカチオンを含み、そして前記支持電解質塩のアニオンがテトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩、過塩素酸塩、ハロゲン化物、アリールスルホネート、または芳香族有機化合物からなる群の少なくとも1員から選ばれる請求項20記載の方法。
The method of claim 7 wherein a cation of said reducing agent is at least one member selected from the group of tetraalkylammonium, tetraalkylphos- phonium, alkali metal, mixed alkyl-aryl ammonium, mixed alkyl-aryl phosphonium, or chelated metal and said supporting electrolyte salt anion is at least one member selected from the group of tetrafluoro- borate, hexafluorophosphate, perchlorate, halide, aryl sulfonate, and aromatic organic compounds.
前記還元剤のカチオンがテトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、アルカリ金属、混合アルキル−アリールアンモニウム、混合アルキル−アリールホスホニウム、またはキレート金属からなる群から選ばれた少なくとも1員であり、かつ前記支持電解質塩アニオンがテトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩、過塩素酸塩、ハロゲン化物、アリールスルホン酸塩、および芳香族有機化合物からなる群から選ばれる少なくとも1員である請求項7記載の方法。
The method of claim 1 wherein said reducing agent is formed from a neutral organic compound that is at least one specie selected from the group of unsaturated aromatic hydrocarbons, aromatic carbonyl compounds, imides, diimides, nitriles, carbodiimides, anhydrides, quinones, quaternary aromatic nitrogen compounds, aromatic heterocyclic nitrogen compounds, azomethines, immonium salts, azo compounds, amine oxides, nitro and nitroso compounds and organometallic compounds.
前記還元剤が不飽和芳香族炭化水素、芳香族カルボニル化合物、イミド、ジイミド、ニトリル、カルボジイミド、酸無水物、キノン、第4級芳香族窒素化合物、芳香族複素環式窒素化合物、アゾメチン、インモニウム塩、アゾ化合物、アミンオキシド、ニトロおよびニトロソ化合物並びに有機金属化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の中性の有機化合物から生成される請求項1記載の方法。
halogenated hydrocarbons, ethers, such as, diethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran or dioxane; ketones, such as, for example, methyl ethyl ketone, acetone, cyclohexanone and the like; alcohols, such as methanol, ethanol, propanol, methoxypropanol, butanol and benzyl alcohol, (cyclo)aliphatic and/or aromatic solvents in the boiling range from about 150 DEG to 180 DEG C. (higher-boiling mineral oil fractions, such as Solvesso.RTM.) or esters, such as butyl acetate.
ハロゲン化炭化水素類、エーテル類;例えばジエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフランまたはジオキサン;ケトン類、例えばメチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノンおよびこれらの類似物;アルコール類、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、メトキシプロパノール、ブタノールおよびベンジルアルコール、約150〜180℃の沸点範囲内の(シクロ)脂肪族−および/または芳香族溶剤〔高沸点石油留分、Solveso(登録商標)〕またはエステル、例えばブチルアセテートがある。
Examples of suitable epoxy compounds, which may be solid or liquid, are the di- or polyglycidyl ethers of (cyclo)aliphatic or aromatic hydroxy compounds, such as ethylene glycol, glycerol or cyclohexanediol (or the epoxides as mentioned in the introduction), or cycloaliphatic epoxy compounds such as epoxidized styrene or divinylbenzene which may subsequently be hydrogenated; glycidyl esters of fatty acids, containing for example from 6-24 carbon atoms; glycidyl (meth)acrylate; epoxy compounds containing an isocyanurate group; an epoxidized polyalkadiene such as, for example, epoxidized polybutadiene; hydantoin epoxy resins; epoxy resins obtained by epoxidation of aliphatic and/or cycloaliphatic alkenes, such as, for example, dipentene dioxide, dicyclopentadiene dioxide and vinylcyclohexene dioxide, and resins containing glycidyl groups, for example polyesters or polyurethanes containing one or more glycidyl groups per molecule, or mixtures of the abovementioned epoxy resins.
固体でも液体でもよい適するエポキシ化合物の例には、(シクロ)−脂肪族−または芳香族ヒドロキシ化合物、例えばエチレングリコール、グリセロールまたはシクロヘキサンジオールのジ−またはポリグリシジルエーテル(または冒頭に記載したエポキシド)または本質的に水素化されていてもよい脂環式エポキシ化合物、例えばエポキシ化スチレンまたは−ジビニルベンゼン;例えば炭素原子数6〜24の脂肪酸のグリシジルエステル;グリシジル(メタ)アクリレート;イソシアヌレート基含有のエポキシ化合物;エポキシ化ポリアルカジエン、例えばエポキシ化ポリブタジエン;ヒダントイン−エポキシ樹脂;脂肪族−および/または脂環式アリケンのエポキシ化によって得られるエポキシ樹脂、例えばジペンテンジオキサイド、ジシクロペンタジエン−ジオキサイドおよびビニルシクロヘキセン−ジオキサイド、およびグリシジル基含有樹脂、例えば1分子当たり一つまたは複数のグリシジル基を含むポリエステルまたはポリウレタン、または上記エポキシ樹脂の混合物がある。
Examples of typical polyamines which can be used in accordance with the invention in the form of their aldimines or ketimines as the second component are aliphatic, aromatic or cycloaliphatic amines having from 2-10 primary and/or secondary amino groups, preferably from 2-4 primary amino groups and from 2-200 carbon atoms.
第二成分として本発明に従って使用できるアルジミン類またはケチミン類の状態の代表的なポリアミン類の例には、2〜10個の第一−および/または第二アミノ基、殊に2〜4個の第一アミノ基および2〜200の炭素原子を持つ脂肪族−、芳香族−または脂環式アミン類である。

As a make-up gas tube 3, a stainless steel tube having an outer diameter of 1.59 mm and an inner diameter of 1.00 mm is used.
メイクアップガスチューブ3として、外径1.59mm、内径1.00mmのステンレス鋼チューブを使用する。
As a capillary tube 4 for introducing gaseous molecules, a silica capillary tube used for gas chromatograph is used, and the inner surface thereof is inactivated having an inner diameter of 0.32 mm and an outer diameter of about 0.5 mm.
気体状分子を導入するためのキャピラリーチューブ4として、ガスクロマトグラフで使用されている内面を不活性化した内径が0.32mm、外径が約0.5mmのシリカキャピラリーを使用する。
The downstream end portion 18 of the outer injector tube 11 has a conical portion having an inner diameter decreasing gradually from the body 19, and a cylindrical inner portion provided at its end, the inner diameter of the cylindrical inner portion being less than the inner diameter of the body 19 of the outer injector tube 11.
外側インジェクターチューブ11の先端部分18は本体部分19から内径が漸減する円錐状部分とその先端の筒状内側部分を有し、筒状内側部分の内径は、外側インジェクターチューブ11の本体部分19の内径より小さく形成されている。
In this embodiment, the downstream end portion of the inner injector tube 12 has an inner diameter less than that of the body of the inner injector tube 12 to provide a function of increasing the flow velocity of the make-up gas to introduce effectively the make-up gas and carrier gas into the center part of the inductively-coupled plasma, and also a function of fixing the position of the guide 17 so that the guide 17 is not pushed and moved to the right direction in FIG. 1(a) by the make-up gas.
この実施例では、内側インジェクターチューブ12の先端部分は内側インジェクターチューブ12の本体よりも内径が細くなっており、メイクアップガスの流速を高めメイクアップガスやキャリアガスを誘導結合プラズマ中心部に効率よく導入する機能を有し、同時にガイド17がメイクアップガスに押されて図中で右方向に移動しないようガイド17の位置を固定する機能も有する。
In order to stabilize the laminar flow, the cylindrical inner portion of the downstream end portion of the outer injector tube 11 preferably extends with a uniform diameter for a length of 3 to 10 mm.
このとき層流を安定化するために、外側インジェクターチューブ11の先端部分の筒状内側部分は、同じ径で3mmから10mm程度にわたって延びることが望ましい。
More specifically, the cylindrical inner portion is preferably shaped so as to have at least a diameter of 2.5 mm or less and a length of 3 to 10 mm.
より具体的には、筒状内側部分の内径が少なくとも2.5mm以下、またその長さが3〜10mmであるように形成されていることが好ましい。
The inner diameter of the cylindrical inner portion of the outer injector tube downstream end portion is preferably not less than the diameter of the small-inner-diameter portion of the downstream end portion of the inner injector tube.
外側インジェクターチューブ先端部分の筒状内側部分の内径は、内側インジェクターチューブの先端部分の小内径部分以上であるのが好ましい。
The downstream end portion of the outer injector tube has a cylindrical inner portion having a diameter less than the inner diameter of the body, and the portion between the body and the cylindrical inner portion may be formed so as to be tapered, that is, formed like a cone having an inner diameter decreasing gradually.
外側インジェクターチューブの先端部分は、本体部分の内径よりも小さな径の筒状内側部分を有し、本体部分と筒状内側部分の間はテーパ状に、すなわち内径が漸減する円錐状に形成することができる。
The small-inner-diameter portion has a diameter of at least 1.5 mm or less, and a length of about 2 to 10 mm.
小内径部分の直径は少なくとも1.5mm以下、長さは2〜10mm程度である。
For example, the downstream end portion may comprise a conical tapered portion having decreasing inner diameter gradually, and a small-inner-diameter portion extending in the axial direction in the form of a cylinder from the vicinity of the top of the conical tapered portion.
例えば先端部分は、内径が漸減していく円錐状のテーパ部分と、この円錐状テーパ部分の頂上付近から円筒状をなして軸方向に延びる小内径部分からなることができる。
The inner injector tube comprises a cylindrical body and a succeeding downstream end portion, and the inner diameter of this downstream end portion is less than that of the body.
内側インジェクターチューブは円筒状の本体部分とこれに続く先端部分からなり、この先端部分の内径は本体部分の内径より小さい。
In this case, an aerosol sample and nebulizer gas sample introduced from the outer injector tube are guided along the outside of the inner injector tube, pass through the small-diameter downstream end portion of the outer injector tube, and are introduced to the torch downstream end portion where inductively-coupled plasma is generated.
この場合、外側インジェクターチューブから導入される試料エアロゾル及びネブライザーガスは、内側インジェクターチューブの外側を導かれ、外側インジェクターチューブの細径の先端部分を通過して、誘導結合プラズマが発生しているトーチ先端部へと導入される。
In this case, sample gas and carrier gas introduced from the capillary tube together with make-up gas pass through the small-diameter downstream end portion of the inner injector tube and then the small-diameter downstream end portion of the outer injector tube, and then introduced to the torch downstream end portion where inductively-coupled plasma is generated.
この場合、キャピラリーチューブから導入される試料ガスとキャリアガスとは、メイクアップガスと共に内側インジェクターチューブの細径の先端部分から外側インジェクターチューブの細径の先端部分を通過して、誘導結合プラズマが発生するトーチ先端部へと導入される。
The inductively-coupled plasma torch of claim 3, wherein the inner diameter of said downstream end portion of said inner injector tube is less than the diameter of said cylindrical inner portion of said outer injector tube.
前記内側インジェクターチューブの前記先端部分の内径が、前記外側インジェクターチューブの前記筒状内側部分の径より小さいことを特徴とする、請求項3に記載の誘導結合プラズマトーチ。

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