Apparatus for clamping a semiconductor wafer during processing, comprising: a platen assembly comprising a dielectric element that defines an electricallyinsulating clamping surface for receiving the semiconductor wafer and electrodes underlying said clamping surface, said electrodes comprising three or more concentric sealing electrodes at or near a periphery of said clamping surface, said platen assembly further comprising a conduit for introducing a gas into a region between the semiconductor wafer and said clamping surface; a gas source coupled to said conduit for providing the gas in the region between the semiconductor and said clamping surface for conducting thermal energy between the semiconductor wafer and said clamping surface; and a voltage source for applying voltages to said sealing electrodes for producing an inwardly moving wave in the semiconductor wafer, wherein the gas is transported inwardly away from the periphery of said clamping surface by said inwardly moving wave, said voltage source generating voltages that each include attractive voltage segment and non attractive voltage segment in a repeating sequence and wherein said voltages are phased such that said attractive voltage segments and said non-attractive voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
処理の間,半導体ウエハをクランピングする装置であって,ワークピースを受け入れるための,電気的に絶縁したクランピング表面を画成する誘電性要素と,前記クランピング表面の下に位置する複数のシール電極を含むプラテン組立体であって,更に,半導体ウエハと前記クランピング表面との間の領域にガス導入するための導管を含み,前記電極が前記クランピング表面の周囲又は周囲近傍に,三つ以上の,同中心となるシール電極を含む,ところのプラテン組立体と,半導体ウエハと前記クランピング表面との間で,熱エネルギーの伝導を行うために,半導体ウエハと前記クランピング表面との間の領域にガスを与えるための導管に結合したガス源と,半導体ウエハにおいて,内側に向かって移動する波を形成するために,電圧を前記シール電極に適用するための電源と,含み,ガスは,前記内側に移動する波により前記クランピング表面の周囲から内側に移動し,前記電源は,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分をそれぞれ含む電圧を発生し,前記電圧は,前記引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分が電極から電極に移動し,ガス送りの方向を移動する方向を画成する位相をもつ,ところのクランピング装置。
A method as defined in claim 27 wherein the step of applying voltages to said sealing electrodes comprises applying voltages that each include zero voltage segments and non-zero voltage segments in a repeating sequence and phasing said voltages such that said zero voltage segments and said non-zero voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
電圧を前記シール電極に適用する工程は,連続して繰り返す,ゼロ電圧部分及びゼロでない電圧部分をそれぞれ含む電圧を適用すること,及び前記ゼロ電圧部分及び前記ゼロでない電圧部分が電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相を前記電圧にもたせるこを含む,請求項27に記載の方法。
A method as defined in claim 27 wherein the step of applying voltages to said sealing electrodes comprises applying voltages that each include attractive voltage segments and non-attractive voltage segments in a repeating sequence and phasing said voltages such that said attractive voltage segments and said non-attractive voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
電圧を前記シール電極に適用する工程は,連続して繰り返す,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分を,それぞれ含む電圧を適用すること,及び前記引き付け電圧部分及び前記非引き付け電圧部分が,電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相を前記電圧にもたせるこを含む,請求項27に記載の方法。
A platen assembly as defined in claim 21 wherein each of said electrode voltages comprises zero voltage segments and non-zero voltage segments in a repeating sequence and wherein said electrode voltages are phased such that said zero voltage segments and said nonzero voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
前記電極電圧のそれぞれは,連続して繰り返す,ゼロ電圧部分及びゼロでない電圧部分を含み,前記電極電圧は,前記ゼロ電圧部分及び前記ゼロでない電圧部分が電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項21に記載のプラテン組立体。
A platen assembly as defined in claim 21 wherein each of said electrode voltages comprises attractive voltage segments and non-attractive voltage segments in a repeating sequence and wherein said electrode voltages are phased such that said attractive voltage segments and said non-attractive voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
前記電極電圧のそれぞれは,連続して繰り返す,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分を含み,前記電極電圧は,前記引き付け電圧部分と前記非引き付け電圧部分が,電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項21に記載のプラテン組立体。
A platen assembly as defined in claim 14 wherein each of said voltages comprises zero voltage segments and non-zero voltage segments in a repeating sequence and wherein said voltages are phased such that said zero voltage segments and said non-zero voltage segments move from sealing electrode to sealing electrode and define a direction of gas transport.
前記電圧のそれぞれは,連続して繰り返す,ゼロ電圧部分及びゼロでない電圧部分を含み,前記電圧は,前記ゼロ電圧部分及び前記ゼロでない電圧部分がシール電極からシール電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項14に記載のプラテン組立体。
A platen assembly as defined in claim 14 wherein each of said voltages comprises attractive voltage segments and non-attractive voltage segments in a repeating sequence and wherein said voltages are phased such that said attractive voltage segments and said nonattractive voltage segments move from sealing electrode to sealing electrode and define a direction of gas transport.
前記電源は,連続して繰り返す,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分を含み,前記電圧は,前記引き付け電圧部分及び前記非引き付け電圧部分が,シール電極からシール電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項14に記載のプラテン組立体。
Apparatus as defined in claim 1 wherein said voltage source generates voltages that each include attractive voltage segments and non-attractive voltage segments in a repeating sequence and wherein said voltages are phased such that said attractive voltage segments and said non-attractive voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
前記電源は,連続して繰り返す,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分を,それぞれ含む電圧を発生し,前記電圧は,前記引き付け電圧部分及び前記非引き付け電圧部分が,電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項1に記載の保持装置。
処理の間,半導体ウエハをクランピングする装置であって,ワークピースを受け入れるための,電気的に絶縁したクランピング表面を画成する誘電性要素と,前記クランピング表面の下に位置する複数のシール電極を含むプラテン組立体であって,更に,半導体ウエハと前記クランピング表面との間の領域にガス導入するための導管を含み,前記電極が前記クランピング表面の周囲又は周囲近傍に,三つ以上の,同中心となるシール電極を含む,ところのプラテン組立体と,半導体ウエハと前記クランピング表面との間で,熱エネルギーの伝導を行うために,半導体ウエハと前記クランピング表面との間の領域にガスを与えるための導管に結合したガス源と,半導体ウエハにおいて,内側に向かって移動する波を形成するために,電圧を前記シール電極に適用するための電源と,含み,ガスは,前記内側に移動する波により前記クランピング表面の周囲から内側に移動し,前記電源は,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分をそれぞれ含む電圧を発生し,前記電圧は,前記引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分が電極から電極に移動し,ガス送りの方向を移動する方向を画成する位相をもつ,ところのクランピング装置。
A method as defined in claim 27 wherein the step of applying voltages to said sealing electrodes comprises applying voltages that each include zero voltage segments and non-zero voltage segments in a repeating sequence and phasing said voltages such that said zero voltage segments and said non-zero voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
電圧を前記シール電極に適用する工程は,連続して繰り返す,ゼロ電圧部分及びゼロでない電圧部分をそれぞれ含む電圧を適用すること,及び前記ゼロ電圧部分及び前記ゼロでない電圧部分が電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相を前記電圧にもたせるこを含む,請求項27に記載の方法。
A method as defined in claim 27 wherein the step of applying voltages to said sealing electrodes comprises applying voltages that each include attractive voltage segments and non-attractive voltage segments in a repeating sequence and phasing said voltages such that said attractive voltage segments and said non-attractive voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
電圧を前記シール電極に適用する工程は,連続して繰り返す,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分を,それぞれ含む電圧を適用すること,及び前記引き付け電圧部分及び前記非引き付け電圧部分が,電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相を前記電圧にもたせるこを含む,請求項27に記載の方法。
A platen assembly as defined in claim 21 wherein each of said electrode voltages comprises zero voltage segments and non-zero voltage segments in a repeating sequence and wherein said electrode voltages are phased such that said zero voltage segments and said nonzero voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
前記電極電圧のそれぞれは,連続して繰り返す,ゼロ電圧部分及びゼロでない電圧部分を含み,前記電極電圧は,前記ゼロ電圧部分及び前記ゼロでない電圧部分が電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項21に記載のプラテン組立体。
A platen assembly as defined in claim 21 wherein each of said electrode voltages comprises attractive voltage segments and non-attractive voltage segments in a repeating sequence and wherein said electrode voltages are phased such that said attractive voltage segments and said non-attractive voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
前記電極電圧のそれぞれは,連続して繰り返す,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分を含み,前記電極電圧は,前記引き付け電圧部分と前記非引き付け電圧部分が,電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項21に記載のプラテン組立体。
A platen assembly as defined in claim 14 wherein each of said voltages comprises zero voltage segments and non-zero voltage segments in a repeating sequence and wherein said voltages are phased such that said zero voltage segments and said non-zero voltage segments move from sealing electrode to sealing electrode and define a direction of gas transport.
前記電圧のそれぞれは,連続して繰り返す,ゼロ電圧部分及びゼロでない電圧部分を含み,前記電圧は,前記ゼロ電圧部分及び前記ゼロでない電圧部分がシール電極からシール電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項14に記載のプラテン組立体。
A platen assembly as defined in claim 14 wherein each of said voltages comprises attractive voltage segments and non-attractive voltage segments in a repeating sequence and wherein said voltages are phased such that said attractive voltage segments and said nonattractive voltage segments move from sealing electrode to sealing electrode and define a direction of gas transport.
前記電源は,連続して繰り返す,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分を含み,前記電圧は,前記引き付け電圧部分及び前記非引き付け電圧部分が,シール電極からシール電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項14に記載のプラテン組立体。
Apparatus as defined in claim 1 wherein said voltage source generates voltages that each include attractive voltage segments and non-attractive voltage segments in a repeating sequence and wherein said voltages are phased such that said attractive voltage segments and said non-attractive voltage segments move from electrode to electrode and define a direction of gas transport.
前記電源は,連続して繰り返す,引き付け電圧部分及び非引き付け電圧部分を,それぞれ含む電圧を発生し,前記電圧は,前記引き付け電圧部分及び前記非引き付け電圧部分が,電極から電極に移動し,ガス送りの方向を画成する位相をもつ,請求項1に記載の保持装置。
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