Hf(NO3)4 is used without H2O to produce the interfacial layer over the hydrogen passivated surface.
Hf(NO3)4は、H2Oを用いずに用いられ、水素パッシベーションされた表面上に界面層を作成する。
In one embodiment, Hf(NO3)4 is exposed on the hydrogen passivated substrate to form the interfacial layer.
一実施形態において、Hf(NO3)4は、水素パッシベーションされた基板上に晒され、界面層を形成する。
Step 110 provides with a hydrogen-passivated surface within an ALD chamber. FIG. 4 shows a substrate 10 with a hydrogen-passivated surface 12. For purpose of this illustration, a field oxide 16 is shown, which might correspond to a replacement gate process.
ステップ110は、ALDチャンバ内の水素パッシベーションした表面を提供する。図4は、水素パッシベーションした表面12を有する基板10を示す。この例示の目的のために、フィールド酸化物16が図示される。フィールド酸化物16は、代替のゲートプロセスに対応し得る。
The interfacial layer was formed by providing a hydrogen passivated semiconductor surface, in this case hydrogen terminated silicon, in an ALD chamber, and exposing the surface to cycles comprising two seconds of Hf(NO3)4 and ten seconds of N2 at a temperature of approximately 170 degrees Celsius.
界面層は、水素パッシベーションした半導体表面(この場合、水素終端処理したシリコン)をALDチャンバに提供し、約170℃の温度で、2秒のHf(NO3)4のと10秒のN2とを含むサイクルで表面を晒すことによって提供される。
The hydrogen passivated surface is exposed to a metal nitrate containing precursor without a hydrating gas, or an oxidizing gas, being introduced until the interfacial layer is formed to a desired thickness, which may be a self-limited thickness.
水素パッシベート表面は、水酸化ガス(hydrating gas)または酸化ガス(oxidizing gas)を有しないプリカーサを含む硝酸金属に晒され、このプリカーサを含む硝酸金属は、界面層が自己限界厚さであり得る所望の厚さに形成されるまで導入される。