FIG. 10 shows a conventional multi chip module (MCM) having a ceramic chip carrier with a plurality of chips attached through solder joints which are not encapsulated, a thermal compound dispensed over the chips for cooling, and a conventional protective cap attached to the chip carrier with a silicone polymer adhesive.
【図10】複数のチップを気密封止されていないはんだ接合で取り付けたセラミックチップキャリアと、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、シリコーンポリマ接着材シールバンドによってチップキャリアに接合された通常の金属キャップとを有する通常のマルチチップ・モジュール(MCM)を示す図である。
FIG. 9 shows a conventional single chip module (SCM) having a ceramic chip carrier or substrate with a single chip attached through solder joints which are not encapsulated, a thermal compound dispensed over the chip for cooling, and a metal cap for device protection which is bonded to the substrate through a silicone polymer adhesive seal band at the perimeter.
【図9】シングルチップを気密封止されていないはんだ接合で取り付けたセラミックチップキャリアまたは基板と、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンドによって基板に接合されたデバイス保護用の金属キャップとを有する通常のシングルチップ・モジュール(SCM)を示す図である。
FIG. 1 shows a conventional single chip module (SCM) having a ceramic chip carrier or substrate with a single chip attached through solder joints encapsulated with epoxy encapsulant, a thermal compound dispensed over the chip for cooling, and a metal cap for device protection which is bonded to the substrate through a silicone polymer adhesive seal band at the perimeter.
【図1】エポキシ気密封止材で封止されたはんだ接合で取り付けられたシングルチップを有するセラミックチップキャリアまたは基板と、冷却のためにチップ上に設けられたサーマル・コンパウンドと、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンドによって基板に接合されたデバイス保護用の金属キャップとを有する通常のシングルチップ・モジュール(SCM)を示す図である。
The matters required for these resin compositions in their practical applications vary according to the type of semiconductor elements to be encapsulated, the type of a semiconductor device comprising such encapsulated elements, the use environment and other factors.
この樹脂組成物に要求される項目は、半導体素子の種類、封止される半導体装置の種類、使用される環境等によって変化しつつある。
The present invention relates to communication signal mixing and filtering systems and methods utilizing an encapsulated micro electro-mechanical system (MEMS) device.
本発明は、カプセル封止されたマイクロ電気機械システム(MEMS)デバイスを利用した、通信信号のミキシングおよびフィルタリング装置および方法に関する。
A device as claimed in claim 8, wherein said embedded device is an encapsulated micro electro-mechanical (MEMS) system band-pass filter which is recessed below an upper surface of said chip or wafer.
前記埋め込まれている通信信号ミキシング/フィルタリング・デバイスは、前記チップまたはウェハの上面の下に設けられるカプセル封止されたマイクロ電気機械システム(MEMS)帯域通過フィルタである、請求項8に記載のデバイス。
A device as claimed in claim 1, wherein said device comprises an encapsulated band-pass filter.
カプセル封止された帯域通過フィルタを備える、請求項1に記載のデバイス。
Heiss et al. U.S. Pat. No. 4,089,704, the disclosure of which is incorporated by reference herein, describes a method for removing silicone rubber encapsulating material from microelectronic circuits using methanolic tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) in ethanol or isopropanol (IPA).
米国特許第4,089,704号は、エタノールまたはイソプロパノール(IPA)中のメタノリックテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を用いて、マイクロエレクトロニック回路から、シリコーンゴム気密封止材料を除去する方法を開示している。
Miller et al. U.S. Pat. No. 3,947,952, the disclosure of which is incorporated by reference herein, describes a method of encapsulating beam lead semiconductor devices by a multi-step process including a step involving selective removal of an unmasked portion of a silicone resin through a resist mask.
米国特許第3,947,952号は、レジストマスクによりシリコーン樹脂のマスクされていない部分の選択的除去を含む工程を有する多工程プロセスによって、ビームリード半導体デバイスを気密封止する方法を開示している。
At present, however, there is available no encapsulating resin composition which can perfectly satisfy requirements for good moldability, low water absorption, high soldering resistance, etc.
しかし、現在のところ封止用の樹脂組成物として良好な成形性、吸水率、耐半田性等を完全に満足させるものは、未だ提案されていない。
The present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements, which composition is low in water absorption and has excellent soldering resistance, and to semiconductor devices using this resin composition for encapsulation.
本発明は、低吸水率、及び耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
A semiconductor device wherein an epoxy resin composition according to Claim 1, 2, 3 or 4 is used for encapsulating semiconductor elements.
請求項1、2、3、1又は4記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
An epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements according to Claim 1 or 2, wherein the phenol resin is the one represented by the formula (3) or the formula (4) or a resin produced by conducting polycondensation of a petroleum heavy oil, formaldehyde polycondensate and a phenol: EMI25.1 wherein n is a mean value which is a positive number of 1 or greater, EMI25.2 wherein R1 is a hydrogen atom or a methyl group, and n is a mean value which is a positive number of 1 or greater.
フェノール樹脂が、一般式(3)で示されるフェノール樹脂、一般式(4)で示されるフェノール樹脂、又は石油系重質油とホルムアルデヒド重縮合物とフェノール類を重縮合させた樹脂である請求項1、2、又は3記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化3】 (nは平均値で、1以上の正数) 【化4】 (R1は、水素原子、又はメチル基、nは平均値で、1以上の正数)
An epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements according to Claim 1 or 2, wherein the epoxy resin is the one represented by the formula (1) or the formula (2):EMI24.1 wherein R1 to R4 are a hydrogen atom, a phenyl group or a methyl group and may be identical or different, EMI24.2 wherein R1 to R8 are a hydrogen atom, a methyl group or a tertiary butyl group and may be identical or different.
エポキシ樹脂が、一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、又は一般式(2)で示されるエポキシ樹脂である請求項1、又は2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(R1〜R4は、水素原子、フェニル基又はメチル基で、同一でも異なっていてもよい)【化2】(R1〜R8は、水素原子、メチル基、又はターシャリーブチル基で、同一でも異なっていてもよい)
An epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements, said composition comprising (A) an epoxy resin in which the proportion of the carbon atoms of aromatic derivation to the whole carbon atoms in the epoxy resin is 70% or more, (B) a phenol resin in which the proportion of the carbon atoms of aromatic derivation to the whole carbon atoms in the phenol resin is 70% or more, and whose phenolic hydroxy equivalent is 140 to 300, (C) a curing accelerator, and (D) an inorganic filler whose content W (wt%) in the whole epoxy resin composition satisfies 88W + [0.1 x (100 - W)] (A)エポキシ樹脂中の全炭素原子の芳香族由来の炭素原子含有率が70%以上であるエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂中の全炭素原子の芳香族由来の炭素原子含有率が70%以上で、かつフェノール性水酸基当量が140〜300であるフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)全エポキシ樹脂組成物中に含まれる無機充填材の添加量W(重量%)が、88≦W≦94であるエポキシ樹脂組成物において、硬化したエポキシ樹脂組成物の空気雰囲気中のTG分析における硬化物の残存率A(重量%)が、
W+〔0.1×(100−W)〕 ≦ Aであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
An epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements, said composition comprising (A) an epoxy resin in which the proportion of carbon atoms of aromatic derivation to the whole carbon atoms in the epoxy resin is 70% or more, (B) a phenol resin in which the proportion of the carbon atoms of aromatic derivation to the whole carbon atoms in the phenol resin is 70% or more, and whose phenolic hydroxy equivalent is 140 to 300, (C) a curing accelerator, and (D) an inorganic filler whose content W (wt%) in the whole epoxy resin composition satisfies 88 (A)エポキシ樹脂中の全炭素原子の芳香族由来の炭素原子含有率が70%以上であるエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂中の全炭素原子の芳香族由来の炭素原子含有率が70%以上で、かつフェノール性水酸基当量が140〜300であるフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)全エポキシ樹脂組成物中に含まれる無機充填材の添加量W(重量%)が、88≦W≦94であるエポキシ樹脂組成物において、硬化したエポキシ樹脂組成物の空気雰囲気中のTG曲線(Thermogravimetric analysis)における燃焼開始温度が、280℃以上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Further, the device is about 20 .mu.m.times.20 .mu.m in size, rendering it difficult to encapsulate for protection against further IC processing.
さらに、デバイスは、約20μm×20μmであり、さらなるIC処理に対する保護のためのカプセル封止を困難にする。