Finally, the pattern is transferred to the underlayer with an oxygen reactive ion etch process.
最後に、酸素反応性イオン・エッチング・プロセスで、パターンを下層に転写する。
The film is then developed in 0.21N tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) for about 1 minute to form an etch pattern.
次に、0.21Nテトラメチルアンモニウム水酸化物(TMAH)で約1分間現像して、エッチング・パターンを形成する。
The etch ratio compares the rate at which silicon will be eroded versus the rate at which the underlayer is eroded and is a measure of the ability to transfer a pattern to the underlayers.
エッチング比は、シリコンが食刻される速度と下層が食刻される速度との比に相当し、パターンを下層へ転写する能力の測度である。
The etch ratio using PHBS-BOC in combination with MDT as the photoacid generator is 1:23, which indicates that pattern transfer to thicker underlayers is readily accomplished.
感光酸ジェネレータとしてのMDTと組合わせてPHBS−BOCを用いた場合のエッチング比は、1:23であり、これは厚い下層へのパターン転写が容易に行われたことを示している。
Moreover, when these polymers are combined with diazonaphthoquinone-based photoactive compounds (PACs), exposure doses of >100 mJ/cm@2 at 365 nm are required to pattern the resist.
さらに、ジアゾナフトキノンを主成分とする光活性化合物(PAC)と結合されるときには、レジスタをパターン化するのに100mJ/cm2 以上の露光線量を必要とする。
The top resist 5 is soft baked and a pattern 7 formed using conventional resist exposure and development, followed by etch transfer of the top pattern through the bottom resist 1 using the top resist pattern 7 as an etch mask.
上部レジスト5は、ソフト・ベークされ、普通のレジスト露光および現像を用いてパターン7が形成され、上部レジスト・パターン7をエッチング・マスクとして用いて、下部レジスト1に上部パターンをエッチング転写する。
This variation means that the dimensions of any pattern being imaged in the resist will vary as the step geometry is traversed.
このレジスト厚の変化は、レジストに描画されるパターン寸法が、段差形状が横断するにつれて変わることを意味している。
However, as shown in FIG. 1, the major drawback of using a thin layer of resist 27 is that the variation of resist thickness over a diffusion step 21 on a substrate 23 and into an etched pattern 25 increases as the pattern size becomes smaller.
しかし、図1に示すように、レジスト薄層27を用いることの主な欠点は、基板23上での拡散段差21上からエッチング・パターン25へのレジスト層の変化が、パターン・サイズが小さくなるにつれて増大することである。
One method of improving resolution involves using a shorter wavelength light during pattern formation.
分解能を改善する1つの方法によれば、パターニング形成の際に、より短い波長の光を用いている。
The following illustrates a typical fabrication sequence for making optical masks for microlithography by providing a pattern of chromium metal on a quartz plate by the following steps:
下記に、石英板上に金属クロムのパターンを設けることによるマイクロリソグラフィ用の光学マスクを、下記のステップにより作製する典型的な順序を示す。
e) subjecting the layer to be patterned to reactive ion etching with the resist acting as a mask to thereby form the desired pattern on the substrate.
e)パターン形成される層に、レジストをマスクとして反応性イオン・エッチングを行って基板上に所期のパターンを形成するステップとを含む。
d) developing the resist to form the desired pattern; and
d)レジストを現像して所期のパターンを形成するステップと、
A further aspect of the present invention relates to forming a pattern on a substrate.
本発明の他の態様は、基板上にパターンを形成する方法に関する。
c) developing the photoresist to thereby form the pattern.
c)このフォトレジストを現像してパターンを形成するステップを含む。
b) imagewise exposing the layer to actinic radiation in a pattern to thereby cause a change in the solubility of the photoresist where exposed; and
b)この層を像に従って化学放射で露光し、それによって露光部分の溶解度を変化させるステップと、
The present invention also relates to a method for forming a pattern of a photoresist.
本発明はまた、フォトレジストのパターンを形成する方法にも関する。
One of the challenges in the fabrication of microelectronic devices and masks is to develop a resist which exhibits good lithographic performance as well as high dry etch resistance for subsequent pattern transfer into an underlying substrate.
マイクロエレクトロニクス装置およびマスクの製作で解決すべき問題の1つは、良好なリソグラフィ特性とともに、後工程での下層の基板へのパターン転写のために、乾式エッチングに耐えるレジストを開発することである。
The pattern is formed by imagewise exposing the resist material to irradiation by lithographic techniques.
パターンは、このレジスト材料をリソグラフィ技術により像に従って放射で露光して形成する。
The mask is typically created by imagewise forming a pattern of resist material over those areas of the substrate to be shielded from the etching.
マスクは通常、エッチングされないように遮蔽されるべき基板の領域上に、レジスト材料のパターンを像に従って形成することにより作成する。
Nozzles 34, 34a are arranged in a ring-like pattern and are fluidly coupled to gas manifolds 36, 36a, respectively.
ノズル34,34aは、環状の様式にて配置されており、そして、それぞれガスマニホールド36,36aに流体的に連結されている。
Also, when fabricating patterns having feature sizes below 350 nm, dry etching processes are necessary for profile control.
また、フィーチャ寸法が350nm未満のパターンを製作する場合、乾式エッチング法はプロファイル制御の上からも必要である。
An indicator 1 is composed of a first and a second synthetic resin sheets A, B laminated each other at their circumferential edge parts to form a bag-shaped member, thickness of the first and the second synthetic resin sheets A, B is set at 0.05-1.00mm, and an inner surface of at least one of the first and the second synthetic resin sheets A, B is provided with matte patterns of 2.0-20.0&mu m at a 10 point-averaged roughness.
第1,第2の合成樹脂シートA,Bを周縁部で貼り合わせることにより袋状の部材として構成されており、第1,第2の合成樹脂シートA,Bの厚みが0.05〜1.00mmであり、第1,第2の合成樹脂シートA,Bの少なくとも一方の内面が十点平均粗さで2.0〜20.0μmの梨地模様が付与されている、カフ付医療用チューブのインジケーター1。
electronic components bridged among a plurality of circuit patterns 28 within the case 1
ケース1内において複数の回路パターン28間に橋架された電子部品
The resist is then patterned by exposure using a 6-60 mJ/cm@2 dose on a Canon Excimer stepper (NA 0.37, 248 rim) followed by a 60-90 second post-exposure bake at 70 DEG-90 DEG C.
次に、キャノン製のエキシマ・ステッパ(NA0.37,248nm)上で、6〜60mJ/cm2 のドーズを用いる露光によって、レジストをパターニングし、続いて、60〜90秒間,70〜90℃でベークする。
The resist is patterned by e-beam.
レジストを電子線でパターニングする。
b) providing on the layer to be patterned a layer of a resist composition which comprises a polymer comprising a polymeric backbone having grafted thereon at least one member selected from the group consisting of silicon, germanium, tin and mixtures thereof; and a protecting group;
b)パターン形成される層の上に、シリコン、ゲルマニウム、スズ、およびこれらの混合物からなる群から選択した少なくとも1種類の元素をグラフトさせた重合体骨格と保護基とを有する重合体を含むレジスト組成物の層を設けるステップと、
a) providing a layer to be patterned on a substrate;
a)基板上に、パターン形成される層を設けるステップと、
In the manufacture of patterned devices and especially microelectronic devices, the processes of etching different layers that constitute the finished product are among the most crucial steps involved.
パターンを形成した装置、および特にマイクロエレクトロニクス装置の製造で、最終製品を構成する各種の層をエッチングする工程は、関連する最も重要なステップの1つである。
The increasing density of integrated circuits has created a need for higher resolution patterning capabilities.
集積回路密度の増大は、高分解能パターニング性能の必要性を作り出してきた。
POLYMER AND METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING THE SAME
重合体およびそれを使用したパターン形成方法
最後に、酸素反応性イオン・エッチング・プロセスで、パターンを下層に転写する。
The film is then developed in 0.21N tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) for about 1 minute to form an etch pattern.
次に、0.21Nテトラメチルアンモニウム水酸化物(TMAH)で約1分間現像して、エッチング・パターンを形成する。
The etch ratio compares the rate at which silicon will be eroded versus the rate at which the underlayer is eroded and is a measure of the ability to transfer a pattern to the underlayers.
エッチング比は、シリコンが食刻される速度と下層が食刻される速度との比に相当し、パターンを下層へ転写する能力の測度である。
The etch ratio using PHBS-BOC in combination with MDT as the photoacid generator is 1:23, which indicates that pattern transfer to thicker underlayers is readily accomplished.
感光酸ジェネレータとしてのMDTと組合わせてPHBS−BOCを用いた場合のエッチング比は、1:23であり、これは厚い下層へのパターン転写が容易に行われたことを示している。
Moreover, when these polymers are combined with diazonaphthoquinone-based photoactive compounds (PACs), exposure doses of >100 mJ/cm@2 at 365 nm are required to pattern the resist.
さらに、ジアゾナフトキノンを主成分とする光活性化合物(PAC)と結合されるときには、レジスタをパターン化するのに100mJ/cm2 以上の露光線量を必要とする。
The top resist 5 is soft baked and a pattern 7 formed using conventional resist exposure and development, followed by etch transfer of the top pattern through the bottom resist 1 using the top resist pattern 7 as an etch mask.
上部レジスト5は、ソフト・ベークされ、普通のレジスト露光および現像を用いてパターン7が形成され、上部レジスト・パターン7をエッチング・マスクとして用いて、下部レジスト1に上部パターンをエッチング転写する。
This variation means that the dimensions of any pattern being imaged in the resist will vary as the step geometry is traversed.
このレジスト厚の変化は、レジストに描画されるパターン寸法が、段差形状が横断するにつれて変わることを意味している。
However, as shown in FIG. 1, the major drawback of using a thin layer of resist 27 is that the variation of resist thickness over a diffusion step 21 on a substrate 23 and into an etched pattern 25 increases as the pattern size becomes smaller.
しかし、図1に示すように、レジスト薄層27を用いることの主な欠点は、基板23上での拡散段差21上からエッチング・パターン25へのレジスト層の変化が、パターン・サイズが小さくなるにつれて増大することである。
One method of improving resolution involves using a shorter wavelength light during pattern formation.
分解能を改善する1つの方法によれば、パターニング形成の際に、より短い波長の光を用いている。
The following illustrates a typical fabrication sequence for making optical masks for microlithography by providing a pattern of chromium metal on a quartz plate by the following steps:
下記に、石英板上に金属クロムのパターンを設けることによるマイクロリソグラフィ用の光学マスクを、下記のステップにより作製する典型的な順序を示す。
e) subjecting the layer to be patterned to reactive ion etching with the resist acting as a mask to thereby form the desired pattern on the substrate.
e)パターン形成される層に、レジストをマスクとして反応性イオン・エッチングを行って基板上に所期のパターンを形成するステップとを含む。
d) developing the resist to form the desired pattern; and
d)レジストを現像して所期のパターンを形成するステップと、
A further aspect of the present invention relates to forming a pattern on a substrate.
本発明の他の態様は、基板上にパターンを形成する方法に関する。
c) developing the photoresist to thereby form the pattern.
c)このフォトレジストを現像してパターンを形成するステップを含む。
b) imagewise exposing the layer to actinic radiation in a pattern to thereby cause a change in the solubility of the photoresist where exposed; and
b)この層を像に従って化学放射で露光し、それによって露光部分の溶解度を変化させるステップと、
The present invention also relates to a method for forming a pattern of a photoresist.
本発明はまた、フォトレジストのパターンを形成する方法にも関する。
One of the challenges in the fabrication of microelectronic devices and masks is to develop a resist which exhibits good lithographic performance as well as high dry etch resistance for subsequent pattern transfer into an underlying substrate.
マイクロエレクトロニクス装置およびマスクの製作で解決すべき問題の1つは、良好なリソグラフィ特性とともに、後工程での下層の基板へのパターン転写のために、乾式エッチングに耐えるレジストを開発することである。
The pattern is formed by imagewise exposing the resist material to irradiation by lithographic techniques.
パターンは、このレジスト材料をリソグラフィ技術により像に従って放射で露光して形成する。
The mask is typically created by imagewise forming a pattern of resist material over those areas of the substrate to be shielded from the etching.
マスクは通常、エッチングされないように遮蔽されるべき基板の領域上に、レジスト材料のパターンを像に従って形成することにより作成する。
Nozzles 34, 34a are arranged in a ring-like pattern and are fluidly coupled to gas manifolds 36, 36a, respectively.
ノズル34,34aは、環状の様式にて配置されており、そして、それぞれガスマニホールド36,36aに流体的に連結されている。
Also, when fabricating patterns having feature sizes below 350 nm, dry etching processes are necessary for profile control.
また、フィーチャ寸法が350nm未満のパターンを製作する場合、乾式エッチング法はプロファイル制御の上からも必要である。
An indicator 1 is composed of a first and a second synthetic resin sheets A, B laminated each other at their circumferential edge parts to form a bag-shaped member, thickness of the first and the second synthetic resin sheets A, B is set at 0.05-1.00mm, and an inner surface of at least one of the first and the second synthetic resin sheets A, B is provided with matte patterns of 2.0-20.0&mu m at a 10 point-averaged roughness.
第1,第2の合成樹脂シートA,Bを周縁部で貼り合わせることにより袋状の部材として構成されており、第1,第2の合成樹脂シートA,Bの厚みが0.05〜1.00mmであり、第1,第2の合成樹脂シートA,Bの少なくとも一方の内面が十点平均粗さで2.0〜20.0μmの梨地模様が付与されている、カフ付医療用チューブのインジケーター1。
electronic components bridged among a plurality of circuit patterns 28 within the case 1
ケース1内において複数の回路パターン28間に橋架された電子部品
The resist is then patterned by exposure using a 6-60 mJ/cm@2 dose on a Canon Excimer stepper (NA 0.37, 248 rim) followed by a 60-90 second post-exposure bake at 70 DEG-90 DEG C.
次に、キャノン製のエキシマ・ステッパ(NA0.37,248nm)上で、6〜60mJ/cm2 のドーズを用いる露光によって、レジストをパターニングし、続いて、60〜90秒間,70〜90℃でベークする。
The resist is patterned by e-beam.
レジストを電子線でパターニングする。
b) providing on the layer to be patterned a layer of a resist composition which comprises a polymer comprising a polymeric backbone having grafted thereon at least one member selected from the group consisting of silicon, germanium, tin and mixtures thereof; and a protecting group;
b)パターン形成される層の上に、シリコン、ゲルマニウム、スズ、およびこれらの混合物からなる群から選択した少なくとも1種類の元素をグラフトさせた重合体骨格と保護基とを有する重合体を含むレジスト組成物の層を設けるステップと、
a) providing a layer to be patterned on a substrate;
a)基板上に、パターン形成される層を設けるステップと、
In the manufacture of patterned devices and especially microelectronic devices, the processes of etching different layers that constitute the finished product are among the most crucial steps involved.
パターンを形成した装置、および特にマイクロエレクトロニクス装置の製造で、最終製品を構成する各種の層をエッチングする工程は、関連する最も重要なステップの1つである。
The increasing density of integrated circuits has created a need for higher resolution patterning capabilities.
集積回路密度の増大は、高分解能パターニング性能の必要性を作り出してきた。
POLYMER AND METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING THE SAME
重合体およびそれを使用したパターン形成方法
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