レバレッジ特許翻訳講座管理人の日常と本音

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In addition, third gas source 58 is preferably used to introduce silane (or, for example, a mixture of silane and SiF4) into chamber 18 from above substrate 20.
さらに、第三のガス供給源58は、好ましくは、上記の基板20の上から、シラン(又は、例えば、シランとSiF4の混合物)をチャンバ18中へ導入するために用いられる。
Silane (SiH4) is preferably delivered into chamber 18 from second gas source 35a, through second gas controller 37a, and through nozzles 34a.
シラン(SiH4)は、好ましくは、第二のガス供給源35aから、第二のガス制御器37aを通じて、そしてノズル34を通ってチャンバ18中に送り出される。
In the embodiments of the present invention preferably a combination of SiF4 and oxygen from first gas source 35 for introduction into chamber 18 is supplied through orifices 38 of nozzles 34.
本発明は、好ましくは、SiF4と酸素の組み合わせを第一のガス供給源35から供給し、ノズル34のオリフィス38を通してチャンバ18中へ導入する。
The embodiments of the present invention improve upon the above-described structure in a manner which results in films having dielectric constants of less than 3.5 and preferably less than 3.4 and more preferably less than 3.3;
本発明は、3.5未満の、好ましくは3.4未満の、さらに好ましくは3.3未満の誘電率を有するフィルムを提供するように、上記の構造を改善する。
Reference is made initially to FIG. 1. Apparatus for plasma-enhanced chemical vapor deposition of a dielectric film comprises a plasma source 1, preferably a high-density ion source in order to be capable of operating properly at a lower operating temperature, followed by a diffusion chamber 2 having a substrate support 3 adapted to hold the substrate for treatment and to be engaged in the diffusion chamber 2, as shown in position 3a.
最初に図1を参照する。誘電膜のPECVD装置は、より低い動作温度で適切に動作することができるようにプラズマ源1、好適には高密度イオン源を備え、次に位置3aに示したように、処理のために基板を支持するように、かつ拡散室2内に拘束されるように構成された基板支持体3を有する拡散室2を備えている。
The interfacial layer 20 will preferably be allowed to proceed up to 75% or more of the self-limiting thickness.

界面層20により、好ましくは、自己限界厚さの75%以上に至ることが可能である。

For Hf(NO3)4 the deposition temperature is preferably between approximately 30 and 200 degrees Celsius.
Hf(NO3)4に関して、堆積温度は、好ましくは、約30〜200℃である。
The interfacial layer is preferably a high-k material.
界面層は、好ましくは、high−k材料である。

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