The present invention relates to certain polymers that are useful as resists and that exhibit enhanced resistance to plasma and especially to Cl2/O2 plasma used in reactive ion etching.
本発明は、フォトレジストとして有用であり、プラズマ、特に反応性イオン・エッチングに使用するCl2/O2プラズマに対する耐性が強化された、ある種の重合体に関するものである。
Alternatively, the invention provides apparatus for depositing dielectric films on a substrate by a plasma-enhanced chemical vapor deposition method as defined above, the apparatus comprising:
代替的には、本発明は上記のPECVD法を用いて基板上に誘電膜を堆積する装置を提供する。この装置は以下のものを備えている:
In practice, the pitch P of the grid needs to be less than two or three times the Debye length XD of the plasma used, at least at the beginning of deposition.
実際、格子のピッチPは少なくとも堆積開始時には使用されるプラズマのデバイ長λDの2倍または3倍未満であることが必要である。
In order to have a selective trap effect, the metal grid may be formed, for example, by metal wires crossed at a pitch P that is determined as a function of the characteristics of the plasma, so as to block the flow of charged particles, at least during the initial step of non-aggressive deposition.
選択的トラップ効果を持たせるために、少なくとも最初の非攻撃的堆積工程の間に帯電した粒子の流れを阻止するように、例えば、プラズマの特性の関数として決定されるピッチPで交差した金属線によって金属格子が形成されてよい。
In practice, the selective trap may advantageously comprise a metal grid interposed between the plasma and the substrate.
実際、選択的トラップは有利にはプラズマと基板との間に挿入された金属格子を含んでよい。
In a second aspect, the invention provides apparatus for depositing dielectric films on a substrate by a plasma-enhanced chemical vapor deposition method as defined above, the apparatus comprising:
第2の特徴では、本発明は上記のPECVD法を用いて基板上に誘電膜を堆積する装置を提供する。この装置は以下のものを含んでいる:
A second operation consists in modifying the properties of the plasma, by causing the charged particles that are present in the plasma to be trapped during the initial step of non-aggressive deposition, while allowing the particles to pass through the trap without seeing it during a second step of rapid deposition.
第2の操作は、トラップに粒子を通過させながら、最初の非攻撃的堆積工程の間にプラズマ内に存在する帯電した粒子をトラップさせることによってプラズマの特性を修正することに存するが、第2の高速堆積工程間にはトラップを見ることはない。
It is found that degradation of the surface layer of the substrate takes place essentially at the beginning of deposition, a period during which the substrate is not protected by the deposited layer against aggression by particles of the plasma.
この基板の表面相の劣化は基本的には堆積の開始時に起こることが認められており、この期間の間、プラズマの粒子による攻撃に対して基板は堆積された層によって保護されない。
A selective trap is interposed between the plasma and the substrate, thereby reducing the flow of charged particles towards the substrate while conserving the flow of neutral particles.
選択的トラップがプラズマと基板との間に挿入され、これにより中性粒子の流れを保ちつつ基板に向かう帯電した粒子の流れは低減される。
In order to achieve these objects, and others, a first aspect of the invention provides a particular method of depositing dielectric films by plasma-enhanced chemical vapor deposition, in which a substrate is exposed in a vacuum to a flow of particles generated by a plasma, which particles react to form a passivation layer on the substrate.
これらの目的および他の目的を達成するために、本発明の第1の態様はPECVD法を用いて誘電膜を堆積する特別な方法を提供するものであり、この方法では基板がプラズマによって発生した粒子の流れに真空状態で曝露され、この粒子は反応して基板上に不活性化層を形成する。
Since full advantage has been taken from reducing treatment temperature, the invention seeks to find additional means for reducing the aggressive nature of the plasma relative to the substrate during steps of depositing a dielectric film on a substrate.
処理温度を低減することは最大限利用されてきたので、本発明は基板上に誘電膜を堆積する工程の間のプラズマの基板に対する攻撃的な性質を低減するさらなる手段を提供しようと試みるものである。
The problem posed by the present invention is to further improve the aging properties of semiconductor components made using at least one step involving a plasma-enhanced chemical vapor deposition method, so that the resulting semiconductor component conserves its properties over time.
本発明によって提起される問題は、プラズマ強化化学気相成長法を含む少なくとも1つの工程を用いることによって製造された半導体コンポーネントのエージング特性をさらに改善し、結果として得られる半導体コンポーネントがその特性を長期にわたって保たれるようにすることである。
It is assumed that this degradation is produced by the action of charged particles in the plasma, bombarding the substrate and degrading its surface layer.
この劣化は基板を攻撃してその表面層を劣化させるプラズマ内の帯電した粒子の影響によって生じると推定される。
At the beginning of the deposition step, the substrate is bare and can itself be degraded by the action of the plasma.
堆積工程の開始時には、基板はむき出しになっており、プラズマの影響によってそれ自身が劣化し得る。
Proposals have also been made to use an inductively-coupled plasma (ICP) source which consists in generating the plasma by electromagnetic excitation by means of a loop antenna placed outside the plasma-generation compartment, the wall of the compartment being made of a dielectric material.
また、プラズマ発生室の外部に設置されたループアンテナを用いて電磁的励起によってプラズマを発生することに存する誘電結合プラズマ(ICP)源を使用することが提案されており、この室の壁は誘電材料で作られる。
Such a deposit can be applied at a lower temperature, of the order of 250[deg.] C. to 400[deg.] C. However, most plasma sources lead to performing the method at a temperature which is still too high for certain fragile semiconductor substrates, and the semiconductor components made in this way present progressive aging defects which rapidly make them unsuitable for use.
このような堆積は約250度〜400度のより低い温度で適用され得る。しかし、ほとんどのプラズマ源はある種の半導体基板にとってはなおも高過ぎる温度でこの方法を実行することにつながり、またこのように作られた半導体コンポーネントは、コンポーネントを急速に使用に不適当にする進行性のエージング欠陥を呈する。
To make deposits on substrates that are relatively fragile, it is common practice to use plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), during which method a substrate is exposed in a vacuum to a flow of particles generated by a plasma and which reacts to form a passivation layer on the substrate.
比較的壊れ易い基板上に堆積を作るためには、プラズマ強化化学的気相成長(PECVD)を用いることが一般的な方法であり、この方法の間に基板が真空状態でプラズマによって発生されかつ反応して基板上に不活性化層を形成する粒子の流れに曝露される。
The present invention relates to methods of fabricating semiconductor components in which at least one step of plasma-enhanced chemical vapor deposition is performed consisting in exposing a semiconductor substrate in a vacuum to a flow of particles generated by a plasma, the particles reacting to form a passivation layer on the substrate of a material that has dielectric properties.
本発明は、プラズマによって発生した粒子の流れに半導体基板を真空状態で曝露し、この粒子は反応して誘電特性のある材料の不活性化層を基板上に形成することに存する少なくとも1つのプラズマ強化化学的気相成長法(PECVD)の工程が実行される、半導体コンポーネントを製造する方法に関する。
and in which the apparatus includes adaptation means for modifying the Debye length [lambda]D of the particles of the plasma, the grid remaining interposed permanently in the flow of particles during deposition, whereby the adaptation means provide a plasma having a Debye length [lambda]D that is greater than one-third or half the pitch of the grid during an initial step of non-aggressive deposition, and the adaptation means provide a plasma of Debye length [lambda]D that is considerably smaller than one-third or half the pitch of the grid during a following step of rapid deposition.
かつこの装置は、堆積の間格子は恒久的に粒子の流れの中に挿入されたまま、プラズマの粒子のデバイ長λDを修正する適合手段を備え、これにより適合手段は、最初の非攻撃的堆積工程の間に格子のピッチの1/3または1/2より大きいデバイ長λDを有するプラズマを提供し、かつ次の高速堆積工程の間に格子のピッチの1/3または1/2より著しく小さいデバイ長λDを有するプラズマを提供する装置。
in which the selective trap comprises a metal grid interposed between the plasma and the substrate, the grid being formed by metal wires crossed at a pitch that is determined as a function of the characteristics of the plasma to block the flow of charged particles;
選択的トラップはプラズマと基板との間に挿入された金属格子を含み、金属格子は帯電した粒子の流れを阻止するようにプラズマの特性の関数として決定されるピッチで交差した金属線によって形成され、
Apparatus according to claim 6, in which the pitch of the grid is less than two to three times the Debye length [lambda]D of the plasma used, at least at the beginning of deposition.
格子のピッチが少なくとも堆積の開始時には使用されるプラズマのデバイ長λDの2倍または3倍未満である請求項6に記載の装置。
Apparatus according to claim 5, in which the metal grid is formed by metal wires crossed at a pitch that is determined as a function of the characteristics of the plasma to block the flow of charged particles.
金属格子が帯電した粒子の流れを阻止するようにプラズマの特性の関数として決定されるピッチで交差した金属線によって形成される請求項5に記載の装置。
Apparatus according to claim 4, in which the selective trap comprises a metal grid interposed between the plasma and the substrate.
選択的トラップがプラズマと基板との間に挿入された金属格子を含んだ請求項4に記載の装置。
means for projecting plasma particles onto the substrate;
プラズマ粒子を基板上へ発射する手段と、
a source of high-density ion plasma;
高密度イオンプラズマ発生源と、
Apparatus for depositing dielectric films on a substrate by a plasma-enhanced chemical vapor deposition method, the apparatus comprising:
プラズマ強化化学的気相成長法を用いて基板上に誘電膜を堆積する装置であって、この装置は、 〜と、〜と、〜とを備えた装置。
A method according to claim 1, in which the selective trapping effect is inhibited by modifying the properties of the plasma during the rapid deposition step.
選択的トラッピング効果が、高速堆積工程の間にプラズマの特性を修正することによって阻止される請求項1に記載の方法。
A method of depositing dielectric films by plasma-enhanced chemical vapor deposition, in which a substrate in a vacuum is exposed to a flow of particles generated by a plasma, which particles react to form a passivation layer on the substrate, a selective trap being interposed between the plasma and the substrate, thereby reducing the flow of charged particles towards the substrate while conserving a flow of neutral particles, the method being characterized in that it comprises two successive steps:
プラズマ強化化学的気相成長法(PECVD)を用いて誘電膜を堆積する方法であって、プラズマによって発生した粒子の流れに基板が真空状態で曝露され、この粒子は反応して基板上に不活性化層を形成し、選択的トラップがプラズマと基板との間に挿入され、これにより中性粒子の流れを保持しながら基板に向かう帯電した粒子の流れを低減し、該方法が、 〜という2つの連続する工程を含んだことを特徴とする方法。
The grid 17 is also used at least at the beginning of deposition, and is formed of metal wires that are crossed at a pitch that is less than two or three times the Debye length ([lambda]D) of the plasma used.
又この格子17は少なくとも堆積の開始時に使用されるとともに、プラズマのデバイ長λDの2倍または3倍より小さいピッチで交差した金属線で形成される。
A grid 17 is interposed between a plasma and a substrate 15 when a passivation layer is formed on the substrate 15 by exposing the substrate 15 in a vacuum to a flow of particles which were generated by plasmaenhanced chemical vapor deposition, thereby reducing the flow of charged particles towards the substrate 15 while conserving the flow of neutral particles.
プラズマ強化化学的気相成長のプラズマによって発生した粒子の流れに真空状態で基板15を曝露させることによって、基板15上に不活性化層を形成する際にプラズマと基板15との間に格子17が挿入され、これによって中性粒子の流れを保持しながら基板15に向かう帯電した粒子の流れを低減する。